光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于如何在硅片上制作出目标电路图样，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。一般芯片在生产中需要进行 20-30 次的光刻，耗时占到 IC 生产环节的 50%左右，占芯片生产成本的1/...
新英格兰的专业光刻公司很快就面临着激烈的竞争。20 世纪 80 年代，随着日本芯片制造商开始赢得存储芯片生产的主要市场份额，他们开始从尼康和佳能这两家本土光刻工具生产商那里购买产品。大约在同一时间，荷兰芯片制造商飞利浦分拆了自己的光刻工具制造部门，将新公司命名为 ASML。GCA 仍然是美国光刻冠军，但在竞争中举步...
光刻系统已经从蓝色波长(436nm)发展到紫外(UV:UtraViolet,365nm),再到深紫外(DUV:Deep UltrViolet,248nm),再到今天主流的高分辨率波长193nm。随着投影工具及其他各项技术的发展,利用DUV技术可以生产尺寸小于100纳米的特征。近年来利用重叠偏移技术,DUV技术也不断进步,生产能力不断下...
半导体工艺-光刻工艺-Y8 光顾着学习发表于半导体工艺 半导体 | 光刻工艺(下):刻蚀、去胶、最终检查 爱蛙科技 光刻机 一、光刻机原理介绍 光刻工艺是半导体制程中的核心工艺,通过涂光刻胶和曝光,将掩膜板上的图案“复制”到光刻胶上。光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、… 科...
多重曝光可实现7nm制程但技术复杂成本高:多次LE或SADP可以实现7nm制程, 但多重曝光技术提高了对刻蚀、 沉积等工艺的技术要求并且增加了使用次数, 使晶圆光刻成本增加了2-3倍。EUV可实现5nm以下制程且成本低:目前只有通过EUV能达到5nm及以下制程。此外, EUV的使用可以有效减少刻蚀、 沉积等工艺步骤, 工艺简单且光刻...
2)干式DUV光刻机:可用于65nm-0.35μm制程节点,干式DUV是指在光刻过程中使用干式透镜和深紫外线光源,该技术在20世纪90年代初得到了广泛应用。 3)浸入式DUV光刻机:可用于7nm-45nm制程节点,随着芯片制造技术对先进制程的需求持续增加,干式DUV光刻机已无法满足其...
存储器件主要包括DRAM和FLASH,其器件设计相对简单,制造时需要的光刻层较少。 技术节点 存储器件光刻图形特点: ① 掩模中心区域是存储单元,是规则的一维图形,线宽是这一层的最小线宽; ② 存储单元周围是周边图形,来实现存储单元的读写功能,是二维结构,其线宽比存储单元大。
贝格光刻：是一家由前ASML员工创办的中国光刻机公司，其光刻机产品主要面向LCD显示器和晶圆制造等领域。 光影集团：是一家总部位于荷兰的公司，在中国设有研发和生产基地。光影集团主要生产高端光刻机和光刻机配件等产品。 星辉光学：是一家位于江苏苏州的光学公司，其光刻机产品主要面向半导体和光通信等领域。 以上...