光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。光刻流程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干 方法：湿法清洗+去离子水冲洗+...
璞璘科技创始人葛海雄去年年底曾表示：从最近的报道来看，佳能公司的纳米压印各项技术指标已经与DUV的光刻技术持平，有一些指标甚至达到了EUV的光刻技术。关于纳米压印技术的未来，葛海雄表示，依据佳能提供的技术参数、指标，纳米压印有可能为半导体领域创造一些有益的补充，因为ASML、尼康的半导体光刻设备已经在产线上被广...
光刻技术是一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。 在广义上,光刻包括光复印和刻蚀工艺两个主要...
当工艺节点推进到7nm制程以下时，极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography, EUV）技术就是摩尔定律延续下的唯一选择。此项技术涵盖了等离子体动力学、量子物理、以及超精密机械等各种尖端技术，其复杂程度相比传统深紫外（DUV）光刻技术要大很多，接下来我们将从光学系统、光源生成、真空环境等核心技术层面，来带你...
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的下一代光刻技术，其波长为13.5纳米，预计将于2020年得到广泛应用。几乎所有的光学材料对13.5nm波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV光刻机的光学系统只有使用反光镜。极紫外光刻的实际应用比原先估计的将近晚了10多年...
光学光刻技术之所以被广泛使用,直接原因在于其高度并行的特性,可以在极短的时间内传输大量信息。在光学光刻技术中,大量芯片是一次性制造的,因此它是一种省时、快速的生产技术,而且制造成本较低。在集成电路制造中,使用紫外光(0.2-0.4微米)或深紫外光的光学光刻技术应用...
光刻机波长发展历史 ②增大投影透镜的数值孔径(NA) NA越大,收集的衍射束就越多,成像的分辨率就越高。 注:NA从0.4发展到0.93再发展到浸没式光刻中的1.35 分辨率增强技术:改进掩模和光照系统,增强在晶圆上成像的分辨率。 注:对掩模上图形进行邻近效应修正(OPC),添加亚分辨率辅助图形(SRAF),使用具有相移的掩模(PSM...
7.1 光刻技术简介 7.1.1 光刻技术发展历史 自从1958年9月12日杰克·基尔比(Jack S. Kilby)发明了世界第一块集成电路以来,集成电路已经走过50多年的高速发展历程,现在最小线宽已经在20～30nm之间,进入深亚微米范围。这其中关键技术之一的光刻技术也从最初使用类似照相设备中的放大镜头,到当今的浸没式1.35高数值孔...