4)Low-NAEUV光刻机:用于3nm-7nm制程节点,EUV为极紫外光,该光源的波长较此前光源明显减小,显著提升光刻机的分辨率。 5)High-NAEUV光刻机:用于3nm以下制程节点,High-NA是指高数值孔径(0.33→0.55),是下一代光刻机技术,将在已有EUV基础上进一步提高分辨率...
璞璘科技创始人葛海雄去年年底曾表示：从最近的报道来看，佳能公司的纳米压印各项技术指标已经与DUV的光刻技术持平，有一些指标甚至达到了EUV的光刻技术。关于纳米压印技术的未来，葛海雄表示，依据佳能提供的技术参数、指标，纳米压印有可能为半导体领域创造一些有益的补充，因为ASML、尼康的半导体光刻设备已经在产线上被广...
7.1 光刻技术简介7.1.1 光刻技术发展历史自从1958年9月12日杰克·基尔比(Jack S. Kilby)发明了世界第一块集成电路以来,集成电路已经走过50多年的高速发展历程,现在最小线宽已经在20～30nm之间,进入深亚微米范…
光刻版/光罩是光刻技术中用于控制光线传输的重要工具。其主要功能是通过光照、显影等步骤,在表面上形成所需的微米级图案,从而实现微纳加工中的精密制造。 光刻版的组成 常规光刻版通常由以下几部分组成:1、基板:通常为高透光率的材料,石英、玻璃等等;2、遮光材料,通常...
光刻机波长发展历史 ② 增大投影透镜的数值孔径 (NA) NA 越大,收集的衍射束就越多,成像的分辨率就越高。 注:NA 从0.4发展到0.93再发展到浸没式光刻中的1.35 分辨率增强技术:改进掩模和光照系统,增强在晶圆上成像的分辨率。 注:对掩模上图形进行邻近效应修正(OPC),添加亚分辨率辅助图形(SRAF),使用具有相移的...
光刻技术 Photo-lithography成就摩尔定律的追光之旅 光刻技术，简单来说就是利用光化学反应原理，在特定波长光线的作用下，把想要的图形刻蚀到到晶圆上的过程，因此也叫光刻蚀工艺。它的思想来源于历史悠久的印刷技术，不同的是，制造芯片所使用的光刻技术使用的是光而不是墨水。▲光刻工艺的基本步骤 光刻技术的核心...
众所周知光刻机是用光在晶圆上雕刻,当时流行的技术是干式光刻技术,即把空气作为镜头和晶圆之间的介质,但这种方式一直无法雕刻出更精细的电路,全球芯片产业都为之头疼。 2002年,有一个叫林本坚的华人受邀前往美国参加芯片研讨会,原本他只是大会找来的点缀,过场讲讲干式光刻机的衍伸技术,谁知他反客为主,对着台下...
随着互联网技术的全面普及，我们真正步入了信息化时代。而信息化时代最为关键的产业当属IT，IT 的核心则是半导体集成电路芯片制造技术，也被称为微电子技术。在这项技术中，“光刻技术” 至关重要。摩尔定律的延伸需要该技术的推动，同时也促使 “更高端的芯片” 得以研发。想必大家都能感受到，如今的芯片与以往...
回到光刻机本身，单纯从技术上来看，这背后的前后发展经历了半个多世纪。光刻机的发展历程 什么是芯片，每个人都有自己的理解和定义。简单来说，芯片就是电子设备中，承载计算和读写的载体。因为技术的不断进步，人类相应的可以将这个载体制作的越来越小。帮助人类实现这种可能的，就是光刻技术。芯片是伴随着计算机...