根据暴光方法的不同,可以划分为接触式光刻,接近式光刻和投影式光刻三种光刻技术。◆投影式暴光是利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的暴光方法.在这种暴光方法中,由于掩膜版与硅片之间的距离较远,可以完全避免对掩膜版的损伤. 为了提高分辨率,在投影式暴光中,每次只暴光硅片的一小部分,然后利用扫描和分步...
光刻工艺的基本步骤 传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的,普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭(见下表)。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑,可以满足从 0.13um至7nm 共9个技术节点的光刻需要。 2022-10-18 11:20:2913995 一文看懂EUV光...
减成法光刻法 减成法是一种制作PCB和IC载板的工艺,其步骤包括在覆铜板上镀一定厚度的铜层,使用干膜将线路及导通孔保护起来,再把没有抗蚀膜的多余铜层蚀刻掉,以减掉铜层的方法形成印制线路。这种工艺成熟、稳定和可靠,适合于批量生产75μm或75μm以上的线宽线距,多用于普通的PCB、FPC以及HDI等产品。 而光刻...
在有机基板生产中,有四种常用的光刻方法,即接近式光刻、接触式光刻、投影式光刻和激光直写光刻。 1)接近式光刻中,掩模和基底之间有间除,以减少缺陷并能延长掩模的寿命。这种方法中,光的折射会引起图形模糊,分辨率降低。在传统PCB生产中,若不要求高准确度的精细特征尺寸,则一般采用接近式光刻图形技术。
光刻技术介绍 几种常见的光刻方法 描述
光刻法是一种用于制造光子晶体的技术。光子晶体是一种具有周期性折射率变化的介质,能够控制光的传播。光刻法利用光子晶体的带隙特性,通过控制光子晶体模板的周期、占空比等参数,实现光子晶体的周期性结构制作。 光刻法制造光子晶体的过程大致如下: 1. 通过计算机辅助设计软件,在三维空间...
光刻法操作流程 The process of photolithography is a crucial step in the production of semiconductors, as it allows for the precise patterning of circuitry on silicon wafers. 光刻法是半导体生产中的一个关键步骤,它可以在硅片上实现电路的精确图案。 First and foremost, the silicon wafer is cleaned ...
简述几种常见的光刻方法。相关知识点: 试题来源: 解析 接触式光刻:分辨率较高,但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光:在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10~25um),可以大大减小掩膜版的损伤,分辨率较低。 投影式曝光:利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法,目前用的最多的曝光...
翻译光刻法释义 photolithography 影印石版术,照相平版; 行业词典 机械 photolithography 通常指制作半导体器件(晶体管、集成电路等)的复制法。有接触式光刻、接近式光刻和透影式光刻方法,所用母板称为掩模板。释义 行业词典