光刻胶作为光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,占芯片制造时间的 40%-50%。根据全球半导体行业协会(SEMI)最新数据,光刻胶在半导体晶圆制造材料价值占比5%,光刻胶辅助材料占比7%,...
光聚合型光刻胶采用烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物; (光聚合反应示意图) 光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性光刻胶;光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的...
耐化学性(Chemical Resistance):指光刻胶在制程中所能承受的化学处理,如腐蚀剂、清洗剂等的抵抗能力。 干膜厚度(Dry Film Thickness):指涂覆在基片上的光刻胶的厚度,直接影响着最终图案的尺寸和形状。 热稳定性(Thermal Stability):指光刻胶在高温处理过程中的稳定性,如烘烤、退火等...
光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体,在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。 1)增感剂:是光刻胶的关键成分,对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。 2)感光...
光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质。在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻胶按显示的效果，可分为正性光刻胶和负性光刻...
光刻胶国产进展。2024年，全球半导体产业加速发展，作为核心材料的光刻胶正经历技术突破和市场拓展的双重机遇，尤其在中国，光刻胶研发和生产取得了一定进展，近期中国光刻胶企业纷纷迈出新的步伐。湖北鼎龙：ArF、KrF光刻胶斩获国内两大晶圆厂订单 12月9日晚间，鼎龙股份发布公司浸没式ArF及KrF晶圆光刻胶产品首获客户...
半导体光刻胶进一步细分为g线、i线、k胶、A胶和EUV胶。在全球光刻胶细分市场中，ArF光刻胶与KrF光刻胶共同占据了超过80%的市场份额。随着光刻胶的感光波长从g线的紫外宽谱逐渐转向EUV胶，集成电路的集成密度得以提升，从而满足了市场对半导体产品小型化和功能多样化的需求。光刻胶分类：资料来源：行行查 光刻胶...
通俗来说光刻胶是一种可以利用光照反应来改变自身溶解度，防止底部材料因曝光而溶解，如果想要某种图形就把它放在不能被溶解处，最后得到想要的图案。目前光刻胶被广泛应用于半导体、光电信息产业的细微图形线路的加工制作，是电子制造领域的关键材料之一。02 光刻工艺 光刻的整个工艺流程是：首先将光刻胶涂覆于基板上...