一、晶圆准备与清洗 晶圆进入光刻前需彻底清洁表面,去除微粒、有机物及金属污染。通常采用化学清洗(如RCA法)或物理清洗(如超声波)确保基底平整无杂质,为后续涂胶提供理想环境。 二、涂底(增强附着力) 在晶圆表面涂覆一层黏附促进剂(如HMDS),提高光刻胶与基底的结合力,防止显影或刻...
如图1所示：图1 展示了光刻工艺的流程。首先，衬底（晶圆）的处理至关重要。新洁净的衬底在150~200℃下需加热几分钟以去除表面水汽，随后应立即进行后续工艺或存放在干燥容器中以防再次吸湿。对于被污染或已使用的晶圆，则需进行彻底清洁，常规步骤包括丙酮处理、异丙醇或乙醇清洗及干燥处理，以确保衬底对光刻胶的粘...
列出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。相关知识点: 试题来源: 解析 1气相成底膜:第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。 2旋转涂胶:完成底膜后,硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。 3软烘:光刻胶被涂到硅片表面后,必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。 4对准和曝光:掩膜版与涂了...
光刻工艺流程一览图 1. 衬底预处理（Substrate Pre-treatment）：：① 去除表面污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）以及水蒸气；② 预烘烤至 100~200℃可有助于增强光刻胶与衬底的黏附性；③ 对于亲水性衬底（如，SiO2、玻璃、贵金属膜、GaAs 等），使用增附剂（如，AR 300-80 或 HMDS）增加衬底与...
理解光刻流程不仅需要掌握操作步骤,更要明白每个环节背后的物理化学原理及其对最终良率的影响。 晶圆清洗是第一步,但常常被低估重要性。硅片表面哪怕存在纳米级污染物,也会导致光刻胶附着不均匀。工厂常用RCA清洗法,先用氨水-双氧水混合液去除有机残留,再用盐酸-双氧水处理金属离子。这个阶段需要特别注意清洗液的温度...
光刻的七大步骤及其目的分别是: 底模准备:清洗和脱水晶圆,确保表面无污染物,增强光刻胶与晶圆的黏附性。 旋涂光刻胶:将光刻胶均匀覆盖在晶圆表面,为光刻做准备。 软烘:烘烤涂胶后的晶圆,去除光刻胶中的水分,提高黏附性和厚度均匀性。 对准和曝光:将掩模版图形与晶圆对准,用特定光照射,将图形转移到光刻胶上。
百度试题 题目光刻工艺分为哪些步骤?相关知识点: 试题来源: 解析 1、底膜处理 2、涂胶 3、前烘 4、曝光 5、显影 6、坚膜 7、刻蚀去胶 反馈 收藏
“光刻作为半导体中的关键工艺,其中包括3大步骤的工艺:涂胶、曝光、显影。三个步骤有一个异常,整个光刻工艺都需要返工处理,因此现场异常的处理显得尤为关键” 01—光刻前处理 晶圆在光刻前需要做一些特殊处理,比如一些镀膜后的wafer,一些工厂是要求特定时间内完成光刻,减少在工艺外表面的污染。
以下是光刻的一般步骤: 1.准备硅片:将硅片切割成适当大小,并进行清洗和处理,以保证表面平整和无杂质。 2.涂覆光敏材料:将光敏材料涂覆在硅片表面,并使其均匀分布。 3.曝光:将光敏材料置于光刻机中,通过掩膜板将图案转移到光敏材料上。掩膜板上的图案会通过光刻机的透镜系统投影到硅片表面。 4.显影:将经过曝光...