实现制程微缩的另一个重要手段是“多重曝光”,即将原本一层光刻的图形拆分到多个掩模上,利用光刻Litho和刻蚀Etch实现更小制程。常见的技术有双重曝光(DE)、固化双重曝光(LFLE)、双重光刻(LELE)、三重光刻(LELELE)、自对准双重成像(SADP)、连续两次SADP(SAQP)等。 ▲LELE双重光刻工艺示意图 需要注意的是,尽管多重...
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。 自1961年第一台光刻机诞生以来,光刻机经历了接触式→接近式→投影式的发展路线,如今以投影式中的步进扫描式光刻机为主流。 在不同的阶段,每一代光刻机都遇...
所谓Lift-Off工艺,即揭开一剥离工艺,是一种集成电路工艺,可以用来省略刻蚀步骤。 图1、普通光刻工艺示意图 我们先来看一下普通的光刻工艺(如图1所示):首先进行成膜,然后将涂布在基板上的光刻胶进行图形化曝光,显影除去曝光的光刻胶,接着进行刻蚀,最后将剩余光刻胶剥离,留在基板上的就是需要的成膜图形。 图2、...
光刻工艺流程复杂，涉及多个精细步骤，通过一系列操作能够将掩膜板上的图形复制到光刻胶上，为后续制造环节奠定坚实基础。◆ 衬底预处理 衬底预处理是光刻工艺的第一步，包括清除表面污染物，如颗粒、有机物、工艺残余及可动离子，同时去除水蒸气，通过预烘烤至100~200℃以增强光刻胶与衬底的黏附性。对于亲水性衬底（...
划片机:晶圆加工第三篇—光刻技术分为三个步骤 光刻 光刻是通过光线将电路图案“印刷”到晶圆上,我们可以将其理解为在晶圆表面绘制半导体制造所需的平面图。电路图案的精细度越高,成品芯片的集成度就越高,必须通过先进的光刻技术才能实现。具体来说,光刻可分为涂覆光刻胶、曝光和显影三个步骤。
在开始制作光刻掩膜版之前,首先需要根据电路设计制作出掩模的版图。这个过程通常使用计算机辅助设计(CAD)软件来实现。设计好后,会生成一个掩模图案的数据文件。 2. 选择基板 选择适当的基板材料是制作光刻掩膜的重要环节。常用的基板材料是石英或玻璃。基板应该具有高透明度、低膨胀系数、高抗拉强度等特性。
光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下二、光刻工艺步骤1.清洗硅片通过化学清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、杂质颗粒,减少针孔和其他缺陷从而提供光刻胶粘附性。2.预烘和底膜涂覆使用HMDS作为底胶,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脱水烘焙去除圆片表面的潮气。3.光刻胶涂覆硅圆片放置在高速...
MEMS代工中光刻加工的胶图层步骤通过看似简单的旋涂工艺,可以在特定的、可控的厚度上,薄而均匀地涂覆光致抗蚀剂。通过将固体成分溶解在溶剂中而变成液体形式的光致抗蚀剂被倒在晶片上,然后将其高速旋转到转盘上以产生所需的膜。 厚度的控制和均匀性以及低缺陷密度的严格要求,要求对此工艺给予特别关注,在MEMS代工光刻...
制造芯片的关键步骤是光刻和蚀刻,中国芯片蚀刻技术国际领先。利用三氟化氮(NF3)进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体,在硅芯片表面无任何残留物。该反应微观示意图如下,下列说法不正确的是( ) A. 该反应属于置换反应 B. 上图中的四种物质都是由分子构成的 C. 一个丙分子中含有50个电子 D. 该反应中,乙和丁的化学...
图1.PDMS微流控芯片它吸附疏水分子,并且可以将一些分子从不良交联释放到液体中,这对于PDMS微流体装置中的一些生物学研究来说可能是一个问题。在这里,我们简单概括下用软光刻方法制造微流控芯片的方法。图2.软光刻方法制造微流控芯片的方法(1)成型步骤允许从模具批量生产微流控芯片。(2)将PDMS(液体)和交联剂(...