知识星球里的学员问:什么是低温等离子体刻蚀,除了低温难道还有高温吗?麻烦解惑等离子体的温度? 等离子体是物质的第四态,并不是只有半导体制造或工业领域中才会有等离子体。等离子体广泛存在于自然界中,如闪电,太阳表面都会有大量的等离子体产生,因为等离子体的实质是气体的电离。自然界的等离子体的核心温度可以达到13500℃左右,即高温等离子体,因此对于工业生
本节介绍几种在超大规模集成电路生产中比较常用的等离子体蚀刻机台,分别是电容耦合等离子体蚀刻机台(Capacitively Coupled Plasma,CCP)、电感耦合等离子体机台(Inductively Coupled Plasma,ICP&Transformer Coupled Plasma,TCP)、电子回旋共振等离子体蚀刻机台(Electron Cyclotron Resonance,ECR)、远距等离子体蚀刻机台(Remote...
一、等离子体刻蚀概述 等离子体刻蚀是一种独特的工艺，它利用气体等离子体将固体材料转化为气态以实现去除。这种技术可以替代传统的化学刻蚀，后者往往耗时且涉及挥发性有机化合物（VOC）和其他危险化学品。等离子体刻蚀具有高度的灵活性，能够刻蚀包括有机材料、无机材料和聚合物在内的多种材料。例如，使用非腐蚀性的氧...
等离子体蚀刻是使用等离子体工艺从衬底表面清洗或去除材料的过程。它可以被概念化为一个两步程序。1) 通过原料气和等离子体之间的相互作用发生化学反应以产生新的物种。2) 这些生成的反应物与衬底的表面相互作用，以除去表面上的材料。等离子体蚀刻是一种多功能工具，可以在几乎任何材料的表面上形成高精度的图案。与其...
等离子体刻蚀和湿法刻蚀是集成电路制造过程中常用的两种刻蚀方法,虽然它们都可以用来去除晶圆表面的材料,但它们的原理、过程、优缺点及适用范围都有很大的不同。 1. 刻蚀原理和机制的不同 湿法刻蚀:湿法刻蚀使用的是液态化学刻蚀剂,这些化学刻蚀剂直接接触材料表面并发生化学反...
IT之家 3 月 26 日消息，近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP 双反应台刻蚀机 Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到 0.2A（亚埃级）。据介绍，这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上...
4.1 等离子刻蚀设备的类型 等离子刻蚀设备的类型主要取决于刻蚀技术和制造工艺的具体要求。等离子刻蚀设备的常见类型有平行板刻蚀机、反应离子刻蚀机和感应耦合等离子体刻蚀机。平行板蚀刻机：平行板蚀刻机，也称为平面蚀刻机或二极管蚀刻机，是等离子蚀刻系统的最简单形式。在这些系统中，晶圆放置在接地电极上，射频功率...
1等离子刻蚀概述 在等离子体刻蚀过程中，在注入适合于相关层的等离子体源气体之前，应先将用于进行刻蚀的处理室内部调整成真空状态。当刻蚀固体氧化物膜时，应使用较强的碳氟基源气体。对于相对较弱的硅或金属膜，则应使用氯基等离子体源气体。那么，栅极层和底层二氧化硅（SiO2）绝缘层应该如何刻蚀呢？首先，对于栅极...
这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一,是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一(图1)。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破,彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累,进...