等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面...
等离子蚀刻涉及物理和化学相互作用的复杂相互作用。等离子体蚀刻的核心是利用等离子体的高反应性，等离子体是一种由离子、电子和中性粒子组成的物质状态。等离子体是通过向气体施加电场使气体分子电离而产生的。电离气体或等离子体具有独特的特性，使其适合精密蚀刻。在等离子体状态下，气体分子被激发并电离，从而产生自由电...
等离子体蚀刻是使用等离子体工艺从衬底表面清洗或去除材料的过程。它可以被概念化为一个两步程序。1) 通过原料气和等离子体之间的相互作用发生化学反应以产生新的物种。2) 这些生成的反应物与衬底的表面相互作用，以除去表面上的材料。等离子体蚀刻是一种多功能工具，可以在几乎任何材料的表面上形成高精度的图案。与其...
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1. Plasma:广泛应用而又复杂的物理过程等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程,自70年代引入用于去胶,80年代成为集成电路领域成熟的刻蚀技术。 刻蚀采用的等离子体源常见的有容性耦合等离子体(CCP-c…
等离子体刻蚀系统 等离子体刻蚀系统是一种用于信息与系统科学相关工程与技术领域的工艺试验仪器，于2013年11月15日启用。技术指标 刻蚀SiO2速度 25 nm/min；刻蚀SiO2不均匀性±6% (420mm)；刻蚀SiNx速度 20 nm/min；刻蚀SiNx不均匀性±6% (420mm)。主要功能 刻蚀SiO2和SiNx。
等离子体反应离子刻蚀系统是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，于2005年9月15日启用。技术指标 最大样品尺寸为4英寸。 ● SiO2刻蚀 刻蚀速率：100nm/min；刻蚀均匀性：±6% on 4” wafer；刻蚀选择性：50:1 to AI，50:1 to Cr；微结构轮廓控制：89o-90o ● Si刻蚀 刻蚀速率：300nm/min；刻蚀均匀性：...
•等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。（这是各向同性反应）•这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。6 等离子体刻蚀反应 7 ...