//step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); RdData = *(__IO uint32_t *)addr; //step2 锁定FLASH HAL_FLASH_Lock(); return RdData; } /** * @brief 内部FLASH读写测试 */ void FLASH_Inside_Test(void) { printf("\r\n---内部FLASH读写测试---\r\n"); uint32_t addr =...
voidStartReadFlashInit(void){ u16 temp=STMFLASH_ReadHalfWord(FLASH_READ_FLAG);//读取一个16位数printf("ReadNum:%d\r\n",temp);//默认初始化 概率是1/65535if(temp!=858){ temp=858;//STMFLASH_Write,这个函数写一个数据就等价于以下HAL_FLASH_Unlock();//FLASH解锁FLASH_PageErase(FLASH_READ_FLAG...
//step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 HAL_Status = HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,&PageError);//擦除 if(HAL_Status != HAL_OK) printf("内部FlASH擦除失败!rn"); //step3 写入数据 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,Pdata); //st...
1 首先双击打开keil5软件，如图 2 在软件中新建一个.C和.H文件并加入工程，如图 3 然后在.c文件中编写HAL库的FLASH写数据函数，如图 4 接着是Flash的读取函数，如图 5 随后在.H文件中声明两个函数，如图 6 最后点击编译的快捷键，如图，没有错误和警告就可以使用了。注意事项 注意内部Flash擦写次数是有限制...
固件库SDK版本:HAL V1.8.3 目录 STM32内部Flash读写操作 1、内存映射介绍 2、Flash分布介绍 3、读写flash操作流程 4、代码实现 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同...
STM32实现内部Flash的读写（HAL库版） Flash 中⽂名字叫闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（断电数据不丢失）的存储器。可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程，在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。⼀个Nand Flash由多个块(Block)组成，每个块⾥⾯⼜包含很多页(page)。每个页对应⼀个...
WPR寄存器全为1,都不设置写保护 */ 注意,这里有对CR寄存器进行操作,因此要先对Flash进行解锁。 设置读保护FLASH_ReadOutProtection函数: 1 注意:在设置Flash读写保护时,一定要预留一个接口(串口 按键等都可以),来解除Flash的读写保护,不然很有可能导致芯片报废了。另外,由于Flash的特性,在操作Flash之前,最好先进...
本篇文章介绍如何使用STM32HAL库,针对芯片读写保护实现防篡改、破解功能(详解),本案例还包含内部FLASH读写数据,本质就是操作Flash。 硬件:STM32F103CBT6最小系统板软件:Keil 5.29 + STM32CubeMX5.6.1 一、使用方法 通过参阅《STM32中文参考手册》得知,不同型号的芯片对应FLASH大小不一样,如下所示: ...
stm32f1xx_hal_flash_ex.c 代码实例 目录 stm32的hal库确实提供有关flash的操作代码库,,但是我们在操作flash之前依旧需要对stm32的flash进行简单的介绍。 首先,stm32的flash读不限制次数,写大约100 0000次,也就是说一天对同一个地方写100次,你需要大约20年才能写坏,所以可以你可以放心大胆的写。
Flash写 Flash的写比较特殊,需要先擦除,再写入,擦除的方法如前言中所讲,F1和F4系列有所不同,同样的写入接口,支持的写入数据类型是不一样的: STM32F1XX系列 STM32F4XX系列 F1的写入整数: void saveSpeed() { uint16_t Data = currentspeed; HAL_FLASH_Unlock(); ...