//step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 HAL_Status = HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,&PageError);//擦除 if(HAL_Status != HAL_OK) printf("内部FlASH擦除失败!rn"); //step3 写入数据 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,Pdata); //st...
STM32内部Flash读写操作 硬件平台:以STM32F103C8T6为例 固件库SDK版本:HAL V1.8.3 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。 (2)R
2)stm32内部flash的使用 我们仍然以串口的工程为基础,低功耗模式本身不需要特殊设置,生成HAL库工程文件时都会自带,直接使用串口工程即可。 先定义几个宏,用于指定分配给用户读写flash的区域: 主要是定义用户flash的起始地址、结束地址、可用页数(这里使用的芯片是stm32f103c8t6,内部flash总共64k,每页为1k,把最末尾的2...
1 首先双击打开keil5软件，如图 2 在软件中新建一个.C和.H文件并加入工程，如图 3 然后在.c文件中编写HAL库的FLASH写数据函数，如图 4 接着是Flash的读取函数，如图 5 随后在.H文件中声明两个函数，如图 6 最后点击编译的快捷键，如图，没有错误和警告就可以使用了。注意事项 注意内部Flash擦写次数是有限制...
stm32的hal库确实提供有关flash的操作代码库,,但是我们在操作flash之前依旧需要对stm32的flash进行简单的介绍。 首先,stm32的flash读不限制次数,写大约100 0000次,也就是说一天对同一个地方写100次,你需要大约20年才能写坏,所以可以你可以放心大胆的写。
固件库SDK版本:HAL V1.8.3 目录 STM32内部Flash读写操作 1、内存映射介绍 2、Flash分布介绍 3、读写flash操作流程 4、代码实现 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片...
目录概述一、使用方法二、STM32CubeMx配置三、Examples四、运行结果五、总结概述 本篇文章介绍如何使用STM32HAL库,针对芯片读写保护实现防篡改、破解功能(详解),本案例还包含内部FLASH读写数据,本质就是操作Flash。硬件:STM32F103CBT6最小系统板软件:Keil 5.29 +
需要注意的是内部flash,读写次数有限,所以需要控制擦写次数 首先使用cubmx生成代码, 就是配置时钟和debug口,还有串口信息 # 代码的部分 ## 串口 /* USER CODE BEGIN PV */#include"stdio.h"intfputc(intch,FILE*f){HAL_UART_Transmit(&huart1,(uint8_t*)&ch,1,HAL_MAX_DELAY);returnch;}/* USER COD...
__HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_ENABLE(); __HAL_FLASH_DATA_CACHE_ENABLE(); HAL_FLASH_Lock(); //上锁 return 0; } 其中有个重要的东西是FLASH_EraseInitTypeDef结构体 typedef struct { uint32_t TypeErase; //页擦除和块擦除 uint32_t Banks; //选择擦除的bank区域 ...
STM32实现内部Flash的读写（HAL库版） Flash 中⽂名字叫闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（断电数据不丢失）的存储器。可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程，在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。⼀个Nand Flash由多个块(Block)组成，每个块⾥⾯⼜包含很多页(page)。每个页对应⼀个...