HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 HAL_Status = HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,&PageError);//擦除 if(HAL_Status != HAL_OK) printf("内部FlASH擦除失败!rn"); //step3 写入数据 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,Pdata); //step4 锁定FLASH HAL_FLASH_Lock(); }...
这个函数主要分两部分,擦除和写入;在擦除和写入前,为了保护flash不被误操作,还需要解锁flash;在擦除和写入后,需要重新给flash上锁: 函数内部的调用解锁、擦除、写入、上锁各个函数都是HAL库提供的,使用很方便。 主函数中,我们添加测试代码,循环擦除、写入、再读取打印,每次写入的数据都是上次读出的数据加1: 运行...
使用HAL库可以简化Flash的读写操作,以下是基本步骤: 解锁Flash:在进行读写操作前,需要先解锁Flash。 擦除Flash:写入数据前,需要擦除目标区域。 写入数据:将数据写入Flash。 读取数据:从Flash读取数据。 锁定Flash:完成操作后,锁定Flash以保护数据。 2. Flash写入操作 以下是使用HAL库进行Flash写入的代码示例: #...
STM32内部Flash读写操作 硬件平台:以STM32F103C8T6为例 固件库SDK版本:HAL V1.8.3 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。 (2)R
STM32实现内部Flash的读写（HAL库版）STM32实现内部Flash的读写（HAL库版） Flash 中⽂名字叫闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（断电数据不丢失）的存储器。可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程，在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。⼀个Nand Flash由多个块(Block)组成，每个块⾥⾯...
由于具体的代码实现可能依赖于您所使用的STM32型号和开发环境(如HAL库或标准外设库),以下示例将基于一种通用的方法和HAL库进行说明。 1. 理解STM32内部Flash的存储结构和特性 STM32的内部Flash通常分为多个扇区(Sector),每个扇区的大小可能因不同的STM32型号而异。在进行Flash编程之前,需要了解您的STM32型号的内部...
以下是一个使用STM32 HAL库实现内部Flash在线读写的代码示例: #include "stm32f1xx_hal.h" // 定义要写入的数据 uint32_t data_to_write = 0x12345678; // 定义要写入的地址,选择一个合适的扇区地址 #define FLASH_WRITE_ADDRESS ((uint32_t)0x08008000) ...
HAL_FLASH_Lock();//上锁 } 读flash uint32_t ST_Flash_Read(uint32_t R_Addr) { //直接读地址,可以读取其他类型,。 return *(volatile uint32_t *)R_Addr; } 头文件 #ifndef __HAL_FLASH_H #define __HAL_FLASH_H #include "main.h" ...
1 首先双击打开keil5软件，如图 2 在软件中新建一个.C和.H文件并加入工程，如图 3 然后在.c文件中编写HAL库的FLASH写数据函数，如图 4 接着是Flash的读取函数，如图 5 随后在.H文件中声明两个函数，如图 6 最后点击编译的快捷键，如图，没有错误和警告就可以使用了。注意事项 注意内部Flash擦写次数是有限制...
stm32的hal库确实提供有关flash的操作代码库,,但是我们在操作flash之前依旧需要对stm32的flash进行简单的介绍。 首先,stm32的flash读不限制次数,写大约100 0000次,也就是说一天对同一个地方写100次,你需要大约20年才能写坏,所以可以你可以放心大胆的写。