1、往Flash写入数据的时候,要先对要写入的页进行擦除,如果要写的页里有数据,要先读出来在缓存区,再把页擦除,再写入数据;在擦除页之后,只要这次你写的数据大小不够一页,可以连续写入。 2、要计算好程序的内存,因为你的程序也是保存在MCU的Flash里的,如果你操作到保存着程序的内存,程序就会死掉,至于程序内存...
STM32实现内部Flash的读写(HAL库版) Flash 中⽂名字叫闪存,是⼀种长寿命的⾮易失性(断电数据不丢失)的存储器。可以对称为块的存储器单元块进⾏擦写和再编程,在进⾏写⼊操作之前必须先执⾏擦除。⼀个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块⾥⾯⼜包含很多页(page)。每个页对应⼀个...
STM32 HAL 库读写内部 FLASH 1. 前期准备 安装好 STM32CubeMX 安装好 Clion 2. 创建项目 STM32 内部FLASH 主要作用存储用户程序代码,多余的可以用来存储用户数据了。例如 FLASH 总大小为 128K,程序代码只用了 100K,剩下的 28K 可用来存储我们自己的数据了。内部 FLASH 的读写比较繁琐,需要特定的指令才能...
STM32内部Flash读写操作 硬件平台:以STM32F103C8T6为例 固件库SDK版本:HAL V1.8.3 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。 (2)R
HAL_FLASH_Unlock();__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);flash_count=0;while(flash_count...
STM32 emwin lib获取 stm32 读取,STM32的Flash操作分为读写:读写。一、读操作读取比较简单,直接指针解引用地址就可以读取。注意一下读取的单位即可/***Functionname:STMFLASH_ReadWord**Descriptions:读操
读保护的解除,必须要上电复位才可以。 WRP 写保护 使用选项字节的 WRP0/1/2/3 可以设置主 FLASH 的写保护,防止它存储的程序内容被修改。 1 设置写保护 写保护的配置一般以 4K 字节为单位,除 WRP3 的最后一位比较特殊外,每个WRP 选项字节的一位用于控制 4K 字节的写访问权限, 把对应 WRP 的位置 0 即可...
Flash写 Flash的写比较特殊,需要先擦除,再写入,擦除的方法如前言中所讲,F1和F4系列有所不同,同样的写入接口,支持的写入数据类型是不一样的: STM32F1XX系列 STM32F4XX系列 F1的写入整数: void saveSpeed() { uint16_t Data = currentspeed; HAL_FLASH_Unlock(); ...
1 首先双击打开keil5软件,如图 2 在软件中新建一个.C和.H文件并加入工程,如图 3 然后在.c文件中编写HAL库的FLASH写数据函数,如图 4 接着是Flash的读取函数,如图 5 随后在.H文件中声明两个函数,如图 6 最后点击编译的快捷键,如图,没有错误和警告就可以使用了。注意事项 注意内部Flash擦写次数是有限制...
HAL_FLASH_Unlock(); //首先解锁flash FirstPages = getPage(start_addr); //获取要擦除的第一个页 LastPages = getPage(end_addr); NbPages = LastPages - FirstPages + 1; //获取擦除的页数量 BANK = GetBank(start_addr); //判断地址的Banks是1还是2 ...