1. STM32 HAL Flash的基本概念和工作原理 STM32的Flash存储器是用于存储程序代码和数据的非易失性存储器。它可以在掉电后仍然保留数据。STM32的Flash操作主要包括擦除、写入和读取三个步骤。由于Flash的写入操作只能从“1”变为“0”,因此,在写入新数据之前,需要先擦除(即将所有数据位设置为“1”)目标扇区。
APB2CLKDivider = RCC_HCLK_DIV1;if (HAL_RCC_ClockConfig(&RCC_ClkInitStruct, FLASH_LATENCY_2)...
//step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 HAL_Status = HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,&PageError);//擦除 if(HAL_Status != HAL_OK) printf("内部FlASH擦除失败!rn"); //step3 写入数据 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,Pdata); //st...
FLASH的HAL库驱动：1. FLASH解锁 HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);2.FLASH上锁 HAL_...
u16 temp=STMFLASH_ReadHalfWord(FLASH_READ_FLAG); //读取一个16位数 printf("ReadNum:%d\r\n",temp); //默认初始化 概率是1/65535 if(temp!=858){ temp=858; //STMFLASH_Write,这个函数写一个数据就等价于以下 HAL_FLASH_Unlock(); //FLASH解锁 ...
STM32内部Flash读写操作 硬件平台:以STM32F103C8T6为例 固件库SDK版本:HAL V1.8.3 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。 (2)R
1. Flash读写基础 STM32的内部Flash是一个非易失性存储器,可以在掉电后保持数据。使用HAL库可以简化Flash的读写操作,以下是基本步骤: 解锁Flash:在进行读写操作前,需要先解锁Flash。 擦除Flash:写入数据前,需要擦除目标区域。 写入数据:将数据写入Flash。 读取数据:从Flash读取数据。 锁定Flash:完成操作后,锁定...
在进行Flash读写操作之前,需要先解锁Flash,以允许对其进行写操作。 3.2 擦除扇区 选择要擦除的扇区,并进行擦除操作。 3.3 写入数据 将数据按字节、半字或字的方式写入到擦除后的扇区中。 3.4 锁定Flash 操作完成后,锁定Flash,以防止意外写入。 四、代码实现 以下是一个使用STM32 HAL库实现内部Flash在线读写的...
flash的读可以从读写可以从任何地方开始,但是一次必须以半字,字,或者双字的方式来,但是flash的写之前如果该扇区存在数据,必须擦除整个扇区,再重写。 对照下面的表格可以找出你所有的可操作的stm32的扇区,不是你的代码段,又恰好在可用的flash扇区。 stm32 HAL库 Flash操作指南 ...
Flash 中文名字叫闪存,是一种长寿命的非易失性(断电数据不丢失)的存储器。可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程,在进行写入操作之前必须先执行擦除。一个Nand Flash由多个块(Block)组成,每个块里面又包含很多页(page)。每个页对应一个空闲区域/冗余区域(spare a