STM32的Flash存储器是用于存储程序代码和数据的非易失性存储器,可以在掉电后仍然保留数据。Flash操作主要包括擦除、写入和读取三个步骤。由于Flash的写入操作只能从“1”变为“0”,因此,在写入新数据之前,需要先擦除(即将所有数据位设置为“1”)目标扇区。 2. STM32 HAL库中关于Flash读写的API函数 STM32 HAL...
voidStartReadFlashInit(void){ u16 temp=STMFLASH_ReadHalfWord(FLASH_READ_FLAG);//读取一个16位数printf("ReadNum:%d\r\n",temp);//默认初始化 概率是1/65535if(temp!=858){ temp=858;//STMFLASH_Write,这个函数写一个数据就等价于以下HAL_FLASH_Unlock();//FLASH解锁FLASH_PageErase(FLASH_READ_FLAG...
先定义几个宏,用于指定分配给用户读写flash的区域: 主要是定义用户flash的起始地址、结束地址、可用页数(这里使用的芯片是stm32f103c8t6,内部flash总共64k,每页为1k,把最末尾的2页分配给用户使用)。 编写代码,先看读取flash的代码: 这个函数实现从用户flash起始地址读取num个32bit的数,放在DATA_32区域中;读取flash...
#define FLASH_READ_ADDR ((uint32_t)0x0800FC00) // 读取地址 // 写入Flash void FLASH_Write(uint32_t addr, uint32_t data) { HAL_FLASH_Unlock(); HAL_FLASHEx_Erase(&addr, 1); HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, data); HAL_FLASH_Lock(); } // 读取Flash uint32_t FLA...
对比表 51‑1的内部FLASH扇区地址分布表,可知仅使用扇区0就可以完全存储本应用程序,所以从扇区1(地址0x08004000)后的存储空间都可以作其它用途,使用这些存储空间时不会篡改应用程序空间的数据。 50.4.操作内部FLASH的库函数¶ 为简化编程,STM32 HAL库提供了一些库函数,它们封装了对内部FLASH写入数据操作寄存器...
STM32F1系列HAL库读写内部FLASH 扫描以下二维码,关注公众号雍正不秃头获取更多STM32资源及干货! 测试环境: STM32F103RB 20KBytes RAM 128KBytes FLASH 注:本章节代码只适合STM32F1系列! 头文件 /** * @brief Create by AnKun on 2019/10/10 ...
对比表 51‑1的内部FLASH扇区地址分布表,可知仅使用扇区0就可以完全存储本应用程序,所以从扇区1(地址0x08004000)后的存储空间都可以作其它用途,使用这些存储空间时不会篡改应用程序空间的数据。 51.4.操作内部FLASH的库函数¶ 为简化编程,STM32 HAL库提供了一些库函数,它们封装了对内部FLASH写入数据操作寄存器的...
固件库SDK版本:HAL V1.8.3 目录 STM32内部Flash读写操作 1、内存映射介绍 2、Flash分布介绍 3、读写flash操作流程 4、代码实现 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片...
//step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL_FLASH_Unlock(); //step2 开始擦除addr对应页 HAL_Status = HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit,&PageError);//擦除 if(HAL_Status != HAL_OK) printf("内部FlASH擦除失败!rn"); //step3 写入数据 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr,Pdata); ...
STM32内部Flash读写操作 硬件平台:以STM32F103C8T6为例 固件库SDK版本:HAL V1.8.3 1、内存映射介绍 (1)stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。 (2)R