HAL_StatusTypeDef HAL_Status; //擦除配置信息结构体,包括擦除地址、方式、页数等 FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit; pEraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;//按页擦除 pEraseInit.PageAddress = addr;//擦除地址 pEraseInit.NbPages = 1;//擦除页数量 //step1 解锁内部FLASH,允许读写功能 HAL...
HAL_FLASH_Unlock(); 解锁内部flash函数,默认内部flASH是锁上的,使用的时候,需要解锁。 FLASH_EraseInitTypeDef 擦除内部flash的结构体, HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError) 擦除函数 需要注意的是 与flash有关的函数,在两个文件中 #include “stm32...
在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储代码,我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中,由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失,芯片重新上电复位后,内核可从内部FLASH中加载代码并运行,见图一。 图44‑1 STM32的内部框架图 ...
对比表 51‑1的内部FLASH扇区地址分布表,可知仅使用扇区0就可以完全存储本应用程序,所以从扇区1(地址0x08004000)后的存储空间都可以作其它用途,使用这些存储空间时不会篡改应用程序空间的数据。 51.4.操作内部FLASH的库函数¶ 为简化编程,STM32 HAL库提供了一些库函数,它们封装了对内部FLASH写入数据操作寄存器的...
地址FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;// 定义结构体EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;// Flash执行页面只做擦除操作EraseInitStruct.PageAddress = addr;// 要擦除的地址EraseInitStruct.NbPages =1;// 要擦除的页数if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) == HAL_OK)...
STM32的Flash存储器是用于存储程序代码和数据的非易失性存储器,可以在掉电后仍然保留数据。Flash操作主要包括擦除、写入和读取三个步骤。由于Flash的写入操作只能从“1”变为“0”,因此,在写入新数据之前,需要先擦除(即将所有数据位设置为“1”)目标扇区。 2. STM32 HAL库中关于Flash读写的API函数 STM32 HAL...
70.4 源文件stm32h7xx_hal_flash.c 70.5 总结 70.1 初学者重要提示 本章2.5小节里面的Flash三级读保护是重点,务必要掌握明白。 STM32H743XI有两个独立的BANK,一个BANK的编程和擦除操作对另一个BANK没有任何影响。但是如果用户应用程序和要擦写的Flash扇区在同一个BANK,在执行擦写操作时,用户应用程序将停止运行...
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; uint8_t eraseFlash(uint32_t start_addr,uint32_t end_addr) //擦除flash { uint32_t BANK; uint32_t FirstPages = 0,LastPages = 0, NbPages = 0; uint32_t pageError = 0; HAL_FLASH_Unlock(); //首先解锁flash ...
本篇文章介绍如何使用STM32HAL库,针对芯片读写保护实现防篡改、破解功能(详解),本案例还包含内部FLASH读写数据,本质就是操作Flash。 硬件:STM32F103CBT6最小系统板软件:Keil 5.29 + STM32CubeMX5.6.1 一、使用方法 通过参阅《STM32中文参考手册》得知,不同型号的芯片对应FLASH大小不一样,如下所示: ...
对比表 51‑1的内部FLASH扇区地址分布表,可知仅使用扇区0就可以完全存储本应用程序,所以从扇区1(地址0x08004000)后的存储空间都可以作其它用途,使用这些存储空间时不会篡改应用程序空间的数据。 50.4.操作内部FLASH的库函数¶ 为简化编程,STM32 HAL库提供了一些库函数,它们封装了对内部FLASH写入数据操作寄存器...