Flash的读取操作与普通的内存读取操作相同,不需要特别的HAL库函数。 c uint32_t Flash_Read(uint32_t Address) { return *(__IO uint32_t*)Address; } 4. 在STM32H7硬件上测试Flash读写代码,验证其正确性 在将代码部署到STM32H7硬件之前,确保您的开发环境已正确配置,并且已根据所选的STM32H7型号配置了...
(4)禁止了调试功能,且禁止了从RAM和系统bootloader启动,用户Flash区是可以执行读写和擦除操作的,访问其它安全存储区也是可以的。特别注意:Level2修改是永久性的,一旦配置为Level2将不再支持被修改。 一览表: 设置读保护的话,使用HAL的API可以设置,也可以使用STM32CubeProg设置:...
解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 检查是否写保护,使能Flash可以编程,然后对其进行编程操作,编程完毕后,等待编程完成,然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。 Flash的擦除流程如下: 解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调...
(3)除了选项字节里面的SWAP位可以配置,其它位都无法再更改。 (4)禁止了调试功能,且禁止了从RAM和系统bootloader启动,用户Flash区是可以执行读写和擦除操作的,访问其它安全存储区也是可以的。 特别注意:Level2修改是永久性的,一旦配置为Level2将不再支持被修改。 一览表: 设置读保护的话,使用HAL的API可以设置,也...
对比表 51‑1的内部FLASH扇区地址分布表,可知仅使用扇区0就可以完全存储本应用程序,所以从扇区1(地址0x08004000)后的存储空间都可以作其它用途,使用这些存储空间时不会篡改应用程序空间的数据。 50.4.操作内部FLASH的库函数¶ 为简化编程,STM32 HAL库提供了一些库函数,它们封装了对内部FLASH写入数据操作寄存器...
Flash的擦除流程如下:解锁Flash,通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。 如果是BANK1或者BANK2需要擦除,调用函数FLASH_MassErase,然后等待擦除完成,完成之后关闭BANK1和BANK2的擦除请求位BER1/BER2 如果是扇区擦除,调用函数FLASH_Erase_Sector,然后等待擦除完成,完成之后关闭扇区的擦除请求位SER。
70.4 源文件stm32h7xx_hal_flash.c 70.5 总结 70.1 初学者重要提示 本章2.5小节里面的Flash三级读保护是重点,务必要掌握明白。 STM32H743XI有两个独立的BANK,一个BANK的编程和擦除操作对另一个BANK没有任何影响。但是如果用户应用程序和要擦写的Flash扇区在同一个BANK,在执行擦写操作时,用户应用程序将停止运行...
51.1.选项字节与读写保护¶ 在实际发布的产品中,在STM32芯片的内部FLASH存储了控制程序,如果不作任何保护措施的话,可以使用下载器直接把内部FLASH的内容读取回来,得到bin或hex文件格式的代码拷贝,别有用心的厂商即可利用该代码文件山寨产品。为此,STM32芯片提供了多种方式保护内部FLASH的程序不被非法读取,但在...
HAL_MPU_Enable(MPU_PRIVILEGED_DEFAULT);/* Enable the CPU Cache */ CPU_CACHE_Enable();} void ...
在间接模式下,通过写入 QUADSPI 寄存器来触发命令;并通过读写数据寄存器来传输数据,就如同对待其他通信外设那样。 若FMODE = 00 (QUADSPI_CCR[27:26]),则 QUADSPI 处于间接写入模式,字节在数据阶段中发送到 Flash。通过写入数据寄存器 (QUADSPI_DR) 的方式提供数据。 若FMODE = 01,则 QUADSPI 处于间接读取...