// 写入32位数据到指定地址voidFLASH_Write(uint32_taddress,uint32_tdata){// 1.解锁FLASHFLASH_Unlock();// 2.擦除页,以便写入FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_11, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);// 擦除目标页// 3.写入数据if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data) != HAL_OK) {...
STM32F103 HAL Flash读写 为了帮助你实现STM32F103 HAL Flash的读写操作,我将按照你的提示分点回答,并包含相应的代码片段。 1. 理解STM32F103 HAL Flash读写的基本原理 STM32F103的内部Flash用于存储程序代码和用户数据。使用HAL库进行Flash读写操作涉及以下步骤: 解锁Flash:在开始写操作前,必须解锁Flash。 擦除扇区:写...
* STEP 2, modify your stm32xxxx_hal_config.h file to support on chip flash peripherals. define macro related to the peripherals * such as #define HAL_FLASH_MODULE_ENABLED 二、取消构建排除与添加路径 这里必须要吐槽一下,RT-Thread studio配置完一个功能后就会把配置和路径回到初始状态,所以经常是添...
FLASH物理特性(只能写0,不能写1),所以写FLASH之前需要擦除,将要写入的区域变为0xFFFF。擦除操作分为:页擦除和批量擦除; 写数据:擦除完成,可写入FLASH,每次只能以16位方式写入; 上锁:写入完成,需设置FLASH_CR[LOCK]位1,重新上锁,防止数据被修改。 4.相关HAL库函数 HAL库相关函数 主要就是前4个函数,最后一...
stm32f103ze是大容量的芯片,每个page2k字节,每次至少写2字节,即2*n字节数量,通常情况下,写入数据都是1->0,而不能0->1,因为这个是flash的特性决定的,如果是0->1的操作,那么必须要整个page擦除,这个和eeprom是不一样的, eeprom是可以按字节进行读写的,当然容量没有flash大,因此各有利弊。
void Flash_EnableReadProtection(void){ FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit;__HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER...
43.2.1 HAL库的Flash驱动 STM32F103的片上Flash是可以直接读取的，但Flash无法直接写入，写入Flash前，...
在STM32F103中,可以使用HAL库提供的函数来进行Flash存储器的编程和擦除操作。首先需要初始化Flash模块,包括设置Flash存储器的写保护和解锁,然后才能进行编程和擦除操作。 编程操作可以通过调用HAL库提供的函数进行,例如HAL_FLASH_Unlock()函数用于解锁Flash存储器,HAL_FLASH_Program()函数用于将数据编程到Flash存储器的目...
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准...
本项目使用SPI协议与串行FLASH进行数据读写。 2. 软件设计 2.1 开发环境 开发工具:STM32CubeMX、Keil uVision 5 下载工具:ST-Link V2(用于将程序烧录到STM32开发板) 固件库:STM32Cube HAL库 2.2 STM32CubeMX配置 打开STM32CubeMX,选择STM32F103C8T6芯片。