在软件层面,通过HAL固件库的函数进行FLASH的读写操作。 以下是详细的操作步骤和代码示例。 1. 解锁FLASH写保护 在进行FLASH写操作之前,需要解锁FLASH的写保护。 #include"stm32f1xx_hal.h"// 解锁FLASH以便进行写操作voidFLASH_Unlock(void){// 如果FLASH处于锁定状态,进行解锁if(HAL_FLAS
这可以通过两次编程操作来实现,或者将double数据拆分为两个16位或32位的数据后再进行写入(如果Flash支持按半字或字写入的话)。 四、相关的STM32库函数或HAL库函数 STM32官方提供了标准外设库(Standard Peripheral Library)和硬件抽象层库(HAL Library)来简化Flash的读写操作。这些库中包含了一系列的函数,用于解锁...
然后是配置两个参数,一个在board.h里,定义BSP_USING_ON_CHIP_FLASH,一个是在stm32xxxx_hal_config.h里定义HAL_FLASH_MODULE_ENABLED,这个步骤在board.h里面可以看到: /** if you want to use on chip flash you can use the following instructions. * * STEP 1 define macro related to the on chip f...
stm32f103ze是大容量的芯片,每个page2k字节,每次至少写2字节,即2*n字节数量,通常情况下,写入数据都是1->0,而不能0->1,因为这个是flash的特性决定的,如果是0->1的操作,那么必须要整个page擦除,这个和eeprom是不一样的, eeprom是可以按字节进行读写的,当然容量没有flash大,因此各有利弊。 通常,stm32flash可...
本文介绍了STM32F10x系列微控制器中闪存的读写操作。通过`FlashWrite`函数实现从指定地址开始写入数据,支持按页擦除和逐字编程;`FlashRead`函数用于从指定地址读取固定长度数据。示例代码展示了如何使用这些函数进行数据存储和读取。
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准...
写数据:擦除完成,可写入FLASH,每次只能以16位方式写入; 上锁:写入完成,需设置FLASH_CR[LOCK]位1,重新上锁,防止数据被修改。 4.相关HAL库函数 HAL库相关函数 主要就是前4个函数,最后一个是被倒数的两个函数调用的。 相关结构体 5.实战编程 跨区写入流程...
void Flash_EnableReadProtection(void){ FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit;__HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER...
【码神岛】STM32F0x HAL库学习笔记(5)片内FLASH的读写操作本文开发环境MCU型号:STM32F103C8T6IDE环境: MDK 5.25代码生成工具:STM32CubeMx 5.0.1HAL库版本:v1.9.0本文内容MCU片内Flash(闪存)的擦除与读写一个Flash读写例子/*main.c中的代码*/void FLASH_EEPROM_Write(uint32_t n);uint32_t FLASH_...
}//开始写数据uint32_t startAddressIndex = PAGE_START_ADDRESS + (1024*paramSizeKb);//startAddressIndex += 8,写入位置,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节for(inti =0; i < len;i ++ , startAddressIndex +=8) {//写入数据HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, startAddres...