本次使用RT-Thread studio编写,使用为5.02完整版,目的是将内部flash进行分区,可以直接在内部flash存储数据。 一、功能配置 首先是打开设置里的FAL组件,因为我这里不需要外部内存,SFUD驱动就没打开: 然后是配置两个参数,一个在board.h里,定义BSP_USING_ON_CHIP_FLASH,一个是在stm32xxxx_hal_config.h里定义HAL_FLA...
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准...
FLASH物理特性(只能写0,不能写1),所以写FLASH之前需要擦除,将要写入的区域变为0xFFFF。擦除操作分为:页擦除和批量擦除; 写数据:擦除完成,可写入FLASH,每次只能以16位方式写入; 上锁:写入完成,需设置FLASH_CR[LOCK]位1,重新上锁,防止数据被修改。 4.相关HAL库函数 HAL库相关函数 主要就是前4个函数,最后一...
stm32f103ze是大容量的芯片,每个page2k字节,每次至少写2字节,即2*n字节数量,通常情况下,写入数据都是1->0,而不能0->1,因为这个是flash的特性决定的,如果是0->1的操作,那么必须要整个page擦除,这个和eeprom是不一样的, eeprom是可以按字节进行读写的,当然容量没有flash大,因此各有利弊。
在此声明——本文摘自这里:【码神岛】STM32F0x HAL库学习笔记(5)片内FLASH的读写操作本文开发环境MCU型号:STM32F103C8T6IDE环境: MDK 5.25代码生成工具:STM32CubeMx 5.0.1HAL库版本:v1.9.0本文内容MCU片内Flash(闪存)的擦除与读写一个Flash读写例子/*main.c中的代
HAL库之读写STM32F103内部的FLASH空间 STM32F103:内部Flash的读写 单片机学习笔记———STM32使用SPI读写串行Flash(二) STM32F103学习笔记三 串口通信 基于STM32f103的输入捕获测频率和占空比 126次下载 基于STM32f103的FFT频率测试程序下载 162次下载 STM32F103设计开发原理图.pdf 251次下载 stm32f103移植 43次下...
void Flash_EnableReadProtection(void){ FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit;__HAL_FLASH_PREFETCH_BUFFER...
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, pBuffer[i]);WriteAddr += 2; //地...
根据命令要求对SD卡内部寄存器进行修改，程序控制中只需要发送组合命令就可以实现SD卡的控制以及读写操作...