SI2323DS-T1 规格参数 是否Rohs认证: 不符合 生命周期: Obsolete Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 风险等级: 5.81 Is Samacsys: N 配置: Single 最大漏极电流 (Abs) (ID): 3.7 A FET 技术: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR 工作模式: ENHANCEMENT MODE 最高工作温度: 150 °C 极性/信道...
SI2323DS-T1-E3 SOT23 全新原装 电子元器件BOM配单 深圳市云灿芯科技有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.66 SI2323DS-T1-E3 全新原厂原装正品 库存充足 专业电子元器件IC 深圳市坪山区亿泰鸿业电子商行(个体工商户)1年
SI2323DS-T1-GE3场效应管的工作原理基于其P沟道MOS结构。在正常工作情况下，栅极电压调控了漏源电流，实现了电子在导体中的高效传导。当施加适当的电压到栅极时，形成电子通道，电流从漏极流向源极，实现了开关控制。其P沟道的独特结构使得SI2323DS-T1-GE3在电路中能够迅速响应变化，从而实现高效的电子控制。通过这...
SI2323DS-T1-E3是一款P沟道TrenchFET®功率MOSFET,功耗为1.25W. ±8V栅-源电压 无卤素 应用 工业 SI2323DS-T1-E3中文参数 工业制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.7 ...
制造商编号 SI2323DS-T1 制造商 Vishay(威世) 唯样编号 A-SI2323DS-T1 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 3.7A(Ta) P-Channel 39 mOhms @ 4.7A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 20V 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 72024.pdf 参数信息 常见问题 参数有误?
制造商编号 SI2323DS-T1 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 D-SI2323DS-T1 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 3.7A(Ta) P-Channel 39 mOhms @ 4.7A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 20V分享: ...
型号SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1Vth 封装 SOT23应用简介 SI2323DST1GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为30V,最大电流为...
Si2323DS-T1-E3 是一款P沟道MOSFET,采用小型化SOT-23封装,专为紧凑电子设计提供高集成度解决方案。该器件特性显著具备20V的最大工作电压VDSS,可安全承载5A的连续漏极电流;其低至30mΩ的导通电阻RD(on),旨在最大限度地降低功耗,提升系统能效。适用于电源转换、负载开关、电池保护等广泛应用场景,是您追求节能与高性...
SI2323DS-T1-E3参数 漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.7A 栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻39mΩ @ 4.7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C)750mW类型P沟道 FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.7A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)...
SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 转换器模块:可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3...