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1. 工作原理 SI2323DS-T1-GE3场效应管的工作原理基于其P沟道MOS结构。在正常工作情况下，栅极电压调控了漏源电流，实现了电子在导体中的高效传导。当施加适当的电压到栅极时，形成电子通道，电流从漏极流向源极，实现了开关控制。其P沟道的独特结构使得SI2323DS-T1-GE3在电路中能够迅速响应变化，从而实现高效的电...
型号SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1Vth 封装 SOT23应用简介 SI2323DST1GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为30V,最大电流为...
SI2323DS-T1-GE3 通用MOSFET 3.7A(Ta) P-Channel 39 mOhms @ 4.7A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 20V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2323DS-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号SI2323DS-T1-GE3 商品编号C144922 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 4.7A 导通电阻(RDS(on)) 68mΩ@1.8V,2A 耗散功...
SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 转换器模块:可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI2323DS-T1-GE3-VB 商品编号 C6705309 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.047887克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)5.6A ...
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SI2323DS-T1-GE3 暂无SI2323DS-T1-GE3 的描述信息! SI2323DS-T1-GE3国产替代产品SI2323DS-T1-GE3采购批发价格 SI2323DS-T1-GE3 PDF文档 型号厂商大小 SI2323DS-T1-GE3VISHAY/威世0.19M 相关资料 SI2323DS-T1-GE3详情介绍 SI2323DS-T1-GE3相关资讯...
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