型号: SI2323DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 8.5V 长度: 6.7mm 宽度: 3.2mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
SI2323DS-T1-GE3场效应管的工作原理基于其P沟道MOS结构。在正常工作情况下，栅极电压调控了漏源电流，实现了电子在导体中的高效传导。当施加适当的电压到栅极时，形成电子通道，电流从漏极流向源极，实现了开关控制。其P沟道的独特结构使得SI2323DS-T1-GE3在电路中能够迅速响应变化，从而实现高效的电子控制。通过...
型号 SI2323DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI2323DS-T1-GE3 封装: SOT-23SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏...
型号 SI2323DS-T1-GE3 封装/规格 SOT-23-3 封装 SOT23-3 批号 21+ 数量 30250 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/箱体 SOT-23-3 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 20V Id-连续漏极电流 4.7A RdsOn-漏源导通电阻 39mOhms ...
SI2323DS-T1-GE3场效应管的工作原理基于其P沟道MOS结构。在正常工作情况下,栅极电压调控了漏源电流,实现了电子在导体中的高效传导。当施加适当的电压到栅极时,形成电子通道,电流从漏极流向源极,实现了开关控制。其P沟道的独特结构使得SI2323DS-T1-GE3在电路中能够迅速响应变化,从而实现高效的电子控制。
SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A,具有低导通电阻和高性能。 该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括: 1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
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SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET,适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V,最大电流为-5.6A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1. 电源管理模块:适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 转换器模块:可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3...
SI2323DS-T1-GE3场效应管是一款P沟道MOS管,在电子元件领域中扮演着重要的角色。其市场地位突出,凭借独特的特性在行业内备受瞩目。该场效应管具有高性能、稳定性和可靠性,广泛应用于各种电子设备中,满足了方案工程师、技术人员和制造企业采购的高要求。SI2323DS-T1-GE3以其卓越的性能成为电子元器件领域不可或缺的...
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