MOSFETs Vishay SI2325DS-T1-GE3 数量国内含税 1+￥2.52141 30+￥2.43136 100+￥2.34131 500+￥2.16121 1000+￥2.07116 2000+￥2.01713 华秋自营合作库存海外代购 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):可订货 库存: 0(1起订) 批次: - 数量: X2.52141(单价)「卷装(TR)/3000」...
SI2325DS-T1-GE3 N.º de producto de DigiKey SI2325DS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2325DS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2325DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® Fabricante Vishay Siliconix Número de pieza del fabricante ...
晶体管SI2325DS-T1-GE3主要参数如下：包装：Tape & Reel (TR) Alternate Packaging 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：530mA (Ta)FET 功能：-- FET 类型：P-Channel 漏源电压（Vdss）：150V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA 工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)不同 Vds...
SI2325DS-T1-GE3 小信号MOSFET P-Channel 530mA(Ta) ±20V 750mW(Ta) 1.2Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 150V 530mA 1.2Ω 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2325DS-T1-GE3 制造商Vishay(威世)...
型号: SI2325DS-T1-GE3 封装: SOT23 批号: 2020+ 数量: 45000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 530 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms Vgs - 栅极...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2325DS-T1-GE3、 VISHAY、 SOT-23-3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOT-23-3 批号: 19+ 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶...
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制造商型号: SI2325DS-T1-GE3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SI2325DS-T1-GE3价格库存...
#替代芯片# 晶体管--SI2325DS-T1-GE3 晶体管SI2325DS-T1-GE3主要参数如下:包装:Tape & Reel (TR) Alternate Packaging 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):530mA (Ta) FET 功能:-- FET 类型:P-Channel 漏...
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