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3年内 数量: X0.942(单价)「卷装(TR)/3000」 总价: ￥ 0.942 加入购物车立即购买 品牌:Vishay(威世) 型号: SI2302DDS-T1-GE3 商品编号: DS0078945 封装规格: SOT-23 商品描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3 数据手册 ...
型号 SI2302DDS-T1-GE3 封装/规格 SOT-23-3 封装 SOT23-3 批号 21+ 数量 30250 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单个 系列 TrenchFET® FET类型 N通道 漏源电压(Vdss) 20V Vgs(最大值) ±8V 功率耗散(最大值) 710mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2302DDS-T1-GE3 元器件,主要参数为:±8V 710mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 2.9A 57mΩ 0.85V,SI2302DDS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
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发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 SI2302DDS、 T1、 GE3、 贴片MOS管、 贴片场效应管、 N渠道MOS管、 N渠道场效应管 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 2.9A 功率(Pd): 860mW 导通电阻: ...
型号 SI2302DDS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2302DDS-T1-GE3 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 2.9 A Rds On-漏源导通...
SI2302DDS-T1-GE3 商品编号 C194092 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.133克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)2.9A 导通电阻(RDS(on))57mΩ@4.5V,2.9A 属性参数值 ...
SI2302DDS-T1-GE3 是一款20VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关, DC-DC转换器应用。 100%Rg经过测试 无卤素 工作温度范围: -55至150°C SI2302DDS-T1-GE3 的替代之选 找到2件产品 找到1件产品 原产地: 原产地:China 进行最后一道重要生产流程所在的地区 ...