型号SI2303CDS-T1-GE3品牌威世/VISHAY 封装SOT-23 场效应管 深圳市益讯电子科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.50 SI2303CDS-T1-GE3封装SOT-23 P沟道30V/2.7A SI2303CDS-T1-E3 深圳市吴优电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
制造商编号 SI2303CDS-T1-GE3 制造商 MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌 唯样编号 A-SI2303CDS-T1-GE3-1 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SOT-23分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速...
Si2303CDS-T1-GE3 是一款高效P沟道MOSFET,采用小巧的SOT-23封装,便于在紧凑型电路设计中灵活使用。器件亮点在于拥有30V的最大漏源电压(VDSS),可稳定承载4.1A漏极电流(ID),同时具备48mΩ的导通电阻(RD(on)),确保在低损耗状态下实现高效能运作。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等各种场景,是您...
SI2303CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),通常用于功率开关和调节应用。由于其小型封装和低导通电阻,适用于需要高效能和紧凑设计的电路。 **应用领域模块:** 1. **电源开关模块:** 在电源开关电路中用于控制电源的开关,提高电源的效率。
唯样编号A-SI2303CDS-T1-GE3-MS 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SOT-23 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 SI2303CDST1GE3MS.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
供应商编号:SI2303CDS-T1-GE3 封装/规格:SOT-23 商品描述: 阶梯价格 数量香港国内含税 10+ -- ￥0.38371 500+ -- ￥0.36627 3000+ -- ￥0.34882 规格参数 产品属性 属性值 产品分类 替代料 DMP1045U-7 PIN to PIN 品牌:DIODES 分类:MOSFETs 描述:-- (Vishay)和DMP1045U-7(DIODES)的区别...
SI2323DDS-T1-GE3 PIN to PIN 品牌:Vishay 分类:MOSFETs 描述:-- SI2303CDS-T1-GE3(Vishay)和SI2323DDS-T1-GE3(Vishay)的区别 对比 SI2347DS-T1-GE3 PIN to PIN 品牌:Vishay 分类:MOSFETs 描述:-- SI2303CDS-T1-GE3(Vishay)和SI2347DS-T1-GE3(Vishay)的区别 对比 SI2319CDS-T1-GE3 PIN to...
商品型号 SI2303CDS-T1-GE3 商品编号 C10489 商品封装 SOT-23(TO-236) 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)2.7A 导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,1.9A ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 SI2303CDS、 T1、 GE3、 VISHAY、 封装SOT、 23、 晶体管、 MOS场效应管 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 包装: 卷带 产地: 中国 QQ: 1039331715 可售卖地: 全国 产品类型: 现货 特色服务: 一...
SI2303CDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.2645 。 JSMSEMI/杰盛微 SI2303CDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23-3, P沟道,-30V,-5.6A,46mΩ@-10V。你可以下载 SI2303CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...