SI2303CDS-T1-GE3场效应管 SOT-23 (TO-236) 跨导 输出功率 深圳市诚研翔科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.00 全新原装SI2303CDS-T1-GE3SOT-23 电子元器件 专业BOM配单IC 深圳市福田区哲航芯电子商行3年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2303CDS-T1-GE3 30250 VISHAY(威世) SOT23-3 21+ ¥2.0000元10~199 PCS ¥1.5000元200~2999 PCS ¥0.8100元3000~-- PCS 深圳市瑞芯成电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 SI2303CDS-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SOT-23 批次23+ ...
Si2303CDS-T1-GE3 是一款高效P沟道MOSFET,采用小巧的SOT-23封装,便于在紧凑型电路设计中灵活使用。器件亮点在于拥有30V的最大漏源电压(VDSS),可稳定承载4.1A漏极电流(ID),同时具备48mΩ的导通电阻(RD(on)),确保在低损耗状态下实现高效能运作。此款MOS管广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动等各种场景,是您...
SI2303CDS-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SI2303CDS-T1-GE3价格参考¥0.2853。VISHAY(威世) SI2303CDS-T1-GE3参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.7A;导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,1.9A;耗散功率(Pd):1.5W;栅极电
SI2303CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),通常用于功率开关和调节应用。由于其小型封装和低导通电阻,适用于需要高效能和紧凑设计的电路。 **应用领域模块:** 1. **电源开关模块:** 在电源开关电路中用于控制电源的开关,提高电源的效率。
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制造商型号:SI2303CDS-T1-GE3 制造商:Vishay(威世) 商品编号:G3176673 供应商编号:SI2303CDS-T1-GE3 封装/规格:SOT-23 商品描述: 阶梯价格 数量香港国内含税 10+ -- ¥0.38371 500+ -- ¥0.36627 3000+ -- ¥0.34882 规格参数 产品属性 属性值 产品分类 替代料 DMP1045U-7 PIN to PIN ...
制造商型号:SI2303CDS-T1-GE3 制造商:Vishay(威世) 商品编号:DS0075328 供应商编号:SI2303CDS-T1-GE3 封装/规格:SOT-23(TO-236) 商品描述:P沟道,-30V,-2.7A,190mΩ@-10V 阶梯价格 数量香港国内含税 5+ -- ¥0.62781 50+ -- ¥0.49810 150+ -- ¥0.43319 500+ -- ¥0.38459 3000+ --...
SI2303CDS-T1-GE3 价格参考¥ 0.2645 。 JSMSEMI/杰盛微 SI2303CDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23-3, P沟道,-30V,-5.6A,46mΩ@-10V。你可以下载 SI2303CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...
制造商编号 SI2303CDS-T1-GE3-MS 制造商 MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌 唯样编号 A-SI2303CDS-T1-GE3-MS 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SOT-23分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI2303CDST1GE3MS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的...