百度爱采购为您找到SI2307CDS-T1-GE3 丝印N7 SOT-23 P沟道 贴片MOSFET等,品牌:VISHAY/CJ,封装:SOT-23,批号:1952+,数量:9705,RoHS:是,产品种类:电子元器件,最小工作温度:-30C,最大工作温度:90C,最小电源电压:5V,最大电源电压:7.5V,长度:6.3mm,宽度:4.7mm,高度:1.7mm,可售卖地
型号 SI2307CDS-T1-GE3 产品详情 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2307CDS-T1-GE3 批号: 2020+ 封装: SOT-23 数量: 51000 QQ: 2895542782 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源...
SI2307CDS-T1-GE3由Vishay设计生产。SI2307CDS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/3V@250µA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/1.1W:额定功率/1.1W,1.8W:充电电量/4.1nC:反向传输电容Crss/51pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/30V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2307CDS-T1-GE3 元器件,主要参数为:±20V 1.1W(Ta),1.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 2.7A 880mΩ,SI2307CDS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
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品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子) 商品型号 Si2307CDS-T1-GE3-HXY 商品编号 C22367262 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.034167克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)30V 属性参数值 ...
制造商产品型号:SI2307CDS-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SI2307CDS-T1-GE3 商品编号 C141561 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)2.7A ...
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