SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性，它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能，SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中，展示了其多功能性和...
SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)为85mΩ @ 10V,96mΩ @ 4.5V,门源阈值电压范围为1V~3V,门源电压范围为±20V,封装类型为SOT23。 应用领域 SI2308DS-T1-GE3适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。...
型号 SI2308DS-T1-GE3-VB 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 4A 功率(Pd) 1.66W 导通电阻 85mΩ@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs) 标准 输入电容(Ciss@Vds) 标准 反向传输电容(Crss@Vds) 标准 工作温度 -55+150 封装/规格 SOT-23(SOT-23...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
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型号 SI2308DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2308DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批次: 新到货 数量: 501984 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 系列: SI2 零件号别名: SI2308DS-GE3 单位重量: 8 mg PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
型号: SI2308DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 24+ 数量: 415000 RoHS: YES 产品种类: 电子元器件 最小温度: -40C 最大温度: 120C 技术: Si 制造商: VISHAY/威世 安装风格: SMD/SMT 长度: 7.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 2mm 单位重量: 29mg 可售卖地: 全国 PDF资料 .pdf 下载 价格说明 价格:商品...
型号 Si2308DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: Si2308DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 18000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 系列: SI2 零件号别名: SI2308DS-GE3 单位重量: 8 mg PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-Si2308DS...