SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)为85mΩ @ 10V,96mΩ @ 4.5V,门源阈值电压范围为1V~3V,门源电压范围为±20V,封装类型为SOT23。 应用领域 SI2308DS-T1-GE3适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性，它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能，SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中，展示了其多功能性和高...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
型号: SI2308DS-T1-GE3-VB 商品编号: ZHLM0395430 封装规格: SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23;N—Channel沟道,60V;4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±...
整体生产体系严格执行ISO9001国际质量标准，企业拥有20余项专利，软件著作权以及各种荣誉称号。企业以自有的品牌“VBsemi”并以其为核心，积极批量开发，还可提供定制服务，调整MOSFET参数，为客户量身定制，VBsemi是专业、全面的为客户解决方案的MOSFETs场效应管制造商。SI2308DS-T1-GE3参数：
小漫电子到货VBsemi(微碧半导体)SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只 河北小漫电子经销VBsemi(微碧半导体)全系列产品,今日到货SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只,欢迎前来咨询! SI2308DS-T1-GE3-VB基本参数:
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
小漫电子微碧SI2308DS-T1-GE3 到货6000 河北小漫电子商务有限公司 https://www.xiaoman.net.cn/,是一家专业的电子元器件代理商、经销商、现货商、技术方案厂商。代理数十条知名产品线,常备大量现货库存,同时也提供整BOM速配,一站式采购等服务。拥有线上元器件电商平台:查IC商城,同时提供国内库存经销和海外代购...
晶体管/场效应管(MOSFET)/SI2308DS-T1-GE3-VB 对比 库存类型&价格:自营现货 参考价(含税价) 1+询价 自营现货库存:0 个(一整包装有3000个) 订货数量: -+ 合计:¥0 已下架 品牌: VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:SI2308DS-T1-GE3-VB ...
SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)为85mΩ @ 10V,96mΩ @ 4.5V,门源阈值电压范围为1V~3V,门源电压范围为±20V,封装类型为SOT23。 应用领域 SI2308DS-T1-GE3适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。