SI2308DS-T1-GE3的技术规格是其成功的基石。具备60V的漏源电压(Vdss)和3.1A的连续漏极电流(Id)，这款MOS管能够在高压环境下稳定工作。它的功率(Pd)为1.66W，使其能在高负载下保持良好性能。此外，其导通电阻仅为85mΩ@10V,1.9A，意味着在运行时损耗极低，效率极高。这些技术参数的优越组合，使得SI2308DS...
SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)为85mΩ @ 10V,96mΩ @ 4.5V,门源阈值电压范围为1V~3V,门源电压范围为±20V,封装类型为SOT23。 应用领域 SI2308DS-T1-GE3适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
本公司生产销售si2308ds-t1-ge3等,还有更多si2308ds-t1-ge3相关的最新专业产品参数、实时报价、市场行情、优质商品批发、供应厂家等信息。您还可以在平台免费查询报价、发布询价信息、查找商机等。
型号 SI2308DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2308DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批次: 新到货 数量: 501984 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 系列: SI2 零件号别名: SI2308DS-GE3 单位重量: 8 mg PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-...
零件号别名 SI2308DS-GE3 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 Si2308DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: Si2308DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 18000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 系列: SI2 零件号别名: SI2308DS-...
型号: SI2308DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 24+ 数量: 415000 RoHS: YES 产品种类: 电子元器件 最小温度: -40C 最大温度: 120C 技术: Si 制造商: VISHAY/威世 安装风格: SMD/SMT 长度: 7.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 2mm 单位重量: 29mg 可售卖地: 全国 PDF资料 .pdf 下载 价格说明 价格:商品...
SI2308DS-T1-GE3 原厂原装,部分现货 SI2308DS-T1-GE3 300000 VISHAY SOT-23 19+ROHS ￥1.0000元10~99 个 ￥0.8000元100~999 个 ￥0.5000元>=1000 个 深圳市杉进电子有限公司 5年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 SI2308DS-T1-GE3 丝印A8** VISHAY 23+ 封装SOT-23 MOS管 SI2308DS-T1...