SI2308DS-T1-GE3的技术规格是其成功的基石。具备60V的漏源电压(Vdss)和3.1A的连续漏极电流(Id)，这款MOS管能够在高压环境下稳定工作。它的功率(Pd)为1.66W，使其能在高负载下保持良好性能。此外，其导通电阻仅为85mΩ@10V,1.9A，意味着在运行时损耗极低，效率极高。这些技术参数的优越组合，使得SI2308DS...
SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)为85mΩ @ 10V,96mΩ @ 4.5V,门源阈值电压范围为1V~3V,门源电压范围为±20V,封装类型为SOT23。 应用领域 SI2308DS-T1-GE3适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。...
SI2308DS-T1-GE3的工作原理基于N沟道MOS管的典型特性,它通过控制门电压来调节漏极和源极之间的电流。这种特性使其在电源管理、信号处理和高频开关电路中有着广泛的应用。由于其出色的电气特性和稳定的性能,SI2308DS-T1-GE3被广泛应用于计算机硬件、移动设备、汽车电子以及可再生能源系统中,展示了其多功能性和高效...
企业以自有的品牌“VBsemi”并以其为核心，积极批量开发，还可提供定制服务，调整MOSFET参数，为客户量身定制，VBsemi是专业、全面的为客户解决方案的MOSFETs场效应管制造商。SI2308DS-T1-GE3参数：
型号: SI2308DS-T1-GE3-VB 商品编号: ZHLM0395430 封装规格: SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23;N—Channel沟道,60V;4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±...
小漫电子到货VBsemi(微碧半导体)SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只 河北小漫电子经销VBsemi(微碧半导体)全系列产品,今日到货SI2308DS-T1-GE3-VB 6000只,欢迎前来咨询! SI2308DS-T1-GE3-VB基本参数:
SI2308DS-T1-GE3si2308dsSOT-23 60V 2A N沟道MOS场效应管 深圳市创立翔科技有限公司13年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.12 全新正品现货Si2308DS-T1-E3 询价为准 深圳市正伟亿科技有限公司12年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
全新原装SI2308DS-T1-GE3SI2308DSMOSFET管 贴片SOT-23 丝印A8 深圳市华芯捷电子有限公司4年 回头率:7.8% 广东 深圳市福田区 ¥0.16成交0件 直销供应SI2308DS-T1-GE3 SOT-23 MOS 全新现货可以拆样品 配单 深圳成德兴科技有限公司8年 回头率:11.1% ...
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小漫电子微碧SI2308DS-T1-GE3 到货6000 河北小漫电子商务有限公司 https://www.xiaoman.net.cn/,是一家专业的电子元器件代理商、经销商、现货商、技术方案厂商。代理数十条知名产品线,常备大量现货库存,同时也提供整BOM速配,一站式采购等服务。拥有线上元器件电商平台:查IC商城,同时提供国内库存经销和海外代购...