SI2308BDS-T1-GE3是N沟道TrenchFET®功率MOSFET,工作温度为175°C。 100%Rg测试 100%用户界面测试 ±20V栅源电压 应用 工业 SI2308BDS-T1-GE3中文参数 晶体管极性:N沟道 漏源电压,Vds:60V 电流,Id连续:2.3A 在电阻RDS(上):0.13欧姆 晶体管封装类型:TO-236 晶体管安装:表面安装 电压Rds测量:10V 阈值电...
原装正品SI2308BDS-T1-GE3SOT-23 N沟道 贴片MOSFET场效应管 深圳市永瑞微科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.50 SI2308BDS-T1-GE3封装SOT-23 N沟道60V/2.3A SI2308BDS-T1-E3 深圳市吴优电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2308BDS-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 (9家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量:
SI2308BDS-T1-GE3 功率MOSFET N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2308BDS-T1-GE3...
VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V查看详情 TO-236 2011年 ¥5.080 数据手册(7) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (2) 反馈错误 by FindIC.com SI2308BDS-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 ...
SI2308BDS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI2308BDS-T1-GE3 批号: 2021+ 封装: SOT23 数量: 658900 QQ: 3257140292 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V...
型号 Si2308BDS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: Si2308BDS-T1-GE3 封装: SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流...
评论 还没有人评论过,快来抢首评 发布 SI2308BDS-T1-GE3一款SOT23-3封装 MOSFET参数应用解析 VBsemi微碧半导体 发布于:广东省 2023.10.08 09:18 +1 首赞 收藏 N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V);SOT23 推荐视频 已经到底了 热门视频 已经到底了 ...
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SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。 [图片] SI2308BDS-T1-GE3适用于多个应用领域。在电源管理、功率