全新原装SI2308BDS-T1-GE3封装SOT23-3 场效应晶体管 N沟道JFET 深圳市万年芯电子有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.55 SI2308BDS-T1-GE3丝印L8 SOT-23 60V/1.9A N沟道MOS 提供BOM配单 深圳市品瑞芯科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2308BDS-T1-GE3是N沟道TrenchFET®功率MOSFET,工作温度为175°C。 100%Rg测试 100%用户界面测试 ±20V栅源电压 应用 工业 SI2308BDS-T1-GE3中文参数 晶体管极性:N沟道 漏源电压,Vds:60V 电流,Id连续:2.3A 在电阻RDS(上):0.13欧姆 晶体管封装类型:TO-236 ...
SI2308BDS-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 (9家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量:
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2308BDS-T1-GE3、 VISHAY/威世 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Ch...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2308BDS-T1-GE3 元器件,主要参数为:N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ,SI2308BDS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
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SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。 [图片] SI2308BDS-T1-GE3适用于多个应用领域。在电源管理、功率
型号: SI2308BDS-T1-GE3 封装: SOT23 批号: 19+ 数量: 300000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 2.3 A Rds On-漏源导通电阻: 156 mOhms Vgs - 栅...
VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V查看详情 TO-236 2011年 ¥5.080 数据手册(7) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (2) 反馈错误 by FindIC.com SI2308BDS-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 ...
我们拥有一支专业且经验丰富的质量控制团队,对 SI2308BDS-T1-GE3 进行严格的验证和测试。 所有供应商必须通过我们的资质审核才能在 We 上发布包括 SI2308BDS-T1-GE3 在内的产品 我们比任何其他客户都更关注SI2308BDS-T1-GE3产品的渠道和质量。我们严格执行供应商审核,让您放心采购。