Si2338DS-T1-GE3MOS管 30V 6A N沟道 SOT-23贴片 场效应管 深圳市博伟奇电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.25 SI2338DS-T1-GE3丝印E8JOB 封装SOT-23 原装现货 深圳市煜拓技术有限公司3年 月均发货速度:暂无记录
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳 SOT-23-3 FET类型 N-Channel 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 6A Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ 查看相似商品 为您推荐如下商品: A36-SI2338DS-T1-GE3 严选库存:14,168 库存...
Si2338DS-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,适用于电感负载、开关电源和直流-直流转换器等需要高电流承载能力和低导通电阻的应用。主要参数包括额定电压为30V,额定电流为6.5A,RDS(ON)为30mΩ @ 10V,33mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压范围为1.2V~2.2V,封装类型为SOT23。应用领域:Si2338DS-T1-GE3(...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2338DS-T1-GE3 商品编号 C82649 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)6A ...
SI2338DS-T1-GE3 价格参考￥ 2.4408 。 Vishay SI2338DS-T1-GE3 封装/规格: SOT346, MOSFET N-CH 30V 6A SOT23。你可以下载 SI2338DS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: SI2338DS-T1-GE3...
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Si2338DS-T1-GE3-VB 商品编号 C558261 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.054克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)6.5A 导通电阻(RDS(on))-
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2338DS-T1-GE3、 SGMC圣邦微、 SOT-23(SOT-23-3) 商品图片 商品参数 品牌: SGMC圣邦微 封装: SOT-23(SOT-23-3) 批号: 19+ 数量: 1669 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工...
SI2338DS-T1-GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商:Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code:2430 Product Specification Section Vishay SI2338DS-T1-GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2338DS-T1-GE3、 SGMC圣邦微、 SOT-23(SOT-23-3) 商品图片 商品参数 品牌: SGMC圣邦微 封装: SOT-23(SOT-23-3) 批号: 19+ 数量: 1669 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工...