供应SI2338DS-T1-GE3 SOT-23封装 贴片MOSFET场效应管全新现货 深圳市科嘉华电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.19 VISHAY/威世 SI2336DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 深圳市承晓电子有限公司 5年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.37 SI...
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳 SOT-23-3 FET类型 N-Channel 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 6A Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ 查看相似商品 为您推荐如下商品: A36-SI2338DS-T1-GE3 严选库存:14,168 库存...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2338DS-T1-GE3 元器件,主要参数为:6A(Tc) ±20V 1.3W(Ta),2.5W(Tc) 28m Ohms@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3 N-Channel 30V 6A 23mΩ,SI2338DS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
商品型号SI2338DS-T1-GE3 商品编号C82649 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 6A 导通电阻(RDS(on)) 28mΩ@10V,5.5A 属性参数值 耗散功率(Pd) 1.3...
Si2338DS-T1-GE3-VB 商品编号 C558261 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.054克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)6.5A 导通电阻(RDS(on))-
制造商产品型号:SI2338DS-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V...
SI2338DS-T1-GE3 库存编号:SI2338DS-T1-GE3DKR-NDVishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 6A SOT238965 1起订1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ ￥9.22 ￥6.1 ￥3.94 ￥3.01 ￥2.66 6-10天购买 查看资料 SI2338DS-T1-GE3 库存编号:SI2338DS-T1-GE3CT-NDVishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 6A SOT238965 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2338DS-T1-GE3、 SGMC圣邦微、 SOT-23(SOT-23-3) 商品图片 商品参数 品牌: SGMC圣邦微 封装: SOT-23(SOT-23-3) 批号: 19+ 数量: 1669 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工...
它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2338DS-T1-GE3、 SGMC圣邦微、 SOT-23(SOT-23-3) 商品图片 商品参数 品牌: SGMC圣邦微 封装: SOT-23(SOT-23-3) 批号: 19+ 数量: 1669 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工...