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原装SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 SI2301CDS 深圳市忠源高科电子有限公司 11年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.10 SI2301CDS-T1-GE3 封装SOT-23 电子元器件一站式配单集成电路现货 深圳市金奇林科技有限公司 7年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ...
SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET®P通道增强模式功率MOSFET,适用于负载开关应用。 无卤素 -55至150°C工作温度范围 应用 工业,电源管理 SI2301CDS-T1-GE3中文参数 通道类型P晶体管配置单 最大连续漏极电流2.3 A最大栅源电压-8 V、+8 V 最大漏源电压20 V每片芯片元件数目1 ...
SI2301CDS-T1-GE3资料元器件交易网www.cecb2b.com Si2301CDS Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 20 RDS(on) (Ω) 0.112 at VGS = - 4.5 V 0.142 at VGS = - 2.5 V ID (A)a - 3.1 3.3 nC - 2.7 Qg (Typ.) FEATURES • Halogen-free ...
SI2301CDS-T1-GE3 的主要参数包括: 漏源电压 (Vdss): 20V 最大连续漏极电流 (Id): 3.1A(在25°C环境温度下) 最大功率耗散: 860mW(在25°C环境温度下)及1.6W(在晶体管结温Tc下) 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250µA 漏源导通电阻 (Rds(on)): 最小值为112mΩ @ 2.8A, 4.5V ...
SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) MOS管 P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor查看详情 SOT-23 2013年 ¥0.312 数据手册(10) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (6) 反馈错误 by FindIC.com...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2301CDS-T1-GE3 元器件,主要参数为:±8V 860mW(Ta),1.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -20V -3.1A 112mΩ@2.8A,4.5V,SI2301CDS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
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型号 SI2301CDS-T1-GE3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...