商品型号 SI2301CDS-T1-GE3-ES 商品编号 C5224168 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.032克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)1.3A 导通电阻(RDS(on))82mΩ@4.5V,2A ...
制造商编号SI2301CDS-T1-GE3-ES 制造商ElecSuper(静芯微) 唯样编号A36-SI2301CDS-T1-GE3-ES 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 送50积分 了解详情 > 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
(Vishay)和SI2399DS-T1-GE3()的区别 对比 SI2351DS-T1-GE3 PIN to PIN 品牌:-- 分类:MOSFETs 描述:-- (Vishay)和SI2351DS-T1-GE3()的区别 对比 SQ2351ES-T1-GE3 PIN to PIN 品牌:-- 分类:-- 描述:-- (Vishay)和SQ2351ES-T1-GE3()的区别 对比 SI2315DS-T1-E3 PIN to PIN 品牌:-...
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价格 价格面议 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2301CDS、 T1、 GE3、 VISHAY、 威世、 SOT、 23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 66135 制造商: VishaySiliconix 系列: TrenchFET® FET类型: P通道 漏源电...
SI2301CDS-T1-GE3 SOT23 P沟道场效应管集成IC芯片 丝印N1JGA SI2301CDS-T1-GE3 52000 VISHAY SOT23-3 2018+ ￥0.5000元10~99 个 ￥0.4000元100~999 个 ￥0.3000元>=1000 个 深圳市芯客芯城技术有限公司 6年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 SI2301CDS-T1-GE3 丝印N1** VISHAY 23+ 封装SOT...
SI2301CDS-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装SOT-23 批号2022 ESD9L5.0ST5G TVS二极管 ON 封装SOD-923 批次23+ RT9078-18GJ5 电源管理芯片 RICHTEK/立锜 封装SOT23-5 批次23+ 深圳市吉利鑫科技发展有限公司 2年 综合体验 出价迅速 真实性已核验 广东深圳 成立时间 2022-05-25 注册资本 1000万元 主要品牌...
SI2323DS‐T1,NVR1P02T1G,PJ2301,NDT014L,PJD10P10A,FDN352AP,MGSF1N03LT1G,NTF3055L108T1G,DMN2400UV,IRFR5305TRLPBF,NVF3055L108T1G,SFT1345‐TL‐H,DMTH43M8LPSQ,PJQ5443‐AU,SQ2337ES‐T1_GE3,DMN2300U‐7,DMC2450UV,IRLML9303TRPBF,AP6P090M,SI2301CDS‐T1‐E3,BSS138K,AP3R303GMT‐HF...
SI2301CDS-T1GCN11408000 SI2301CDS-T1GIN113001 SI2301CDS-T1GUS11483 Other PartsCountries/RegionsSuppliersLine ItemsTotal Qty SI2301CDST1GE3034151369008588 SI2301CDS-T1-GE3SOT2303310664 SI2301CDS-T1-GE3-ES02256468 SI2301CDS-T1-GE3E3GE3011602667
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