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型号 SI2305CDS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2305CDS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 19+ 数量: 10000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 8 V Id-连续漏极电流: 5.8 ...
SI2305CDS-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 (10家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量:
SI2305CDS-T1-GE3参数显示了这款MOS管卓越性能。做为P沟场效应管，其走电电压(Vdss)完成20V，持续漏极电流(Id)可达5A，功率(Pd)为2.5W，而导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅是35mΩ@10V,5.1A。精湛的技术参数设计使SI2305CDS-T1-GE3变成电子领域不可或缺的组成部分。通过对这些参数详细解读，我们能更深入地...
深圳市健晖科技有限公司 3年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥1.26 SI2305CDS-T1-GE3 SOT23 -8V -5.8A P道沟MOS 深圳市南天昊扬实业有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥3.00 原装正品 SI2305CDS-T1-GE3 SOT-23 P沟道 贴片MOSFET场效应管 深圳尊华创电子有限公...
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品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2305CDS-T1-GE3 商品编号 C37577 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)8V 连续漏极电流(Id)4.4A ...
SI2305CDS-T1-GE3TR-ND 型号: SI2305CDS-T1-GE3 制造商 : Vishay Siliconix 简介: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 PDF : PDF 库存: 批量库存 单价: 注册会员查看 数量: 加入询价 热门产品 SYS-421GE-NBRT-LCC SYS-A21GE-NBRT AS-4126GS-NBR-LCC AS-A126GS-TNBR SYS-422GA-NBRT-LCC SYS-A22GA-...
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