SI2312CDS-T1-GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 corestaffarrow 等渠道进行代购。 SI2312CDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.7425 。 Vishay SI2312CDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23, MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23。你可以下载 SI2312CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书...
型号:SI2312CDS-T1-GE3 品牌:Vishay(威世) MOSFETs Vishay SI2312CDS-T1-GE3---0(1起订) ¥1.81120 ▼ 当前型号加入购物车 型号:AO3414 品牌:AOS PIN to PIN MOSFETs 数据手册296(50起订) ¥0.39250 ▼ SI2312CDS-T1-GE3(Vishay)和AO3414(AOS)的区别 ...
Si2312CDS-T1-GE3 是一款高性价比N沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23封装,特别适用于空间受限且需高效能的电子设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS),并能稳定提供6A的漏极电流(ID),同时拥有低至22mΩ的导通电阻(RD(on)),确保了优秀的电能转换效率和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动等场景,是小型...
SI2312CDS-T1-GE3-VB是一款N—Channel沟道的场效应管,封装为SOT23。其主要应用领域包括但不限于: 1. **电源开关模块:** 适用于电源开关电路中,可实现高效的电源管理,提高电源转换效率。 2. **电流控制模块:** 用于需要对电流进行调控的电路,如电流源、电流控制器等。
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) 封装/外壳 SOT-23-3 工作温度 -55℃~150℃ 漏源极电压Vds 20V 查看相似商品 为您推荐如下商品: A-SI2312CDS-T1-GE3 自营库存:60 库存: 267,000 价格梯度单价(含税) 整包(请按3000的倍数下单) 3,000 + ￥0.9731 6,000 + ￥0.9562 9,000 + ...
N沟 20V 6A 品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2312CDS-T1-GE3 商品编号 C142518 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6A ...
制造商型号:SI2312CDS-T1-GE3 制造商:Vishay(威世) 商品编号:DS0078823 供应商编号:SI2312CDS-T1-GE3 封装/规格: 商品描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 阶梯价格 数量香港国内含税 1+ -- ￥3.88839 10+ -- ￥3.32365 100+ -- ￥2.30978 500+ -- ￥1.80246 1000+ -- ￥1.46553 规格参数...
SI2312BDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥1.12001 查看详情 查看数据资料 SI2302CDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥0.29900 查看详情 ECCN编码 FET功能 - - - - 包装 Tape/reel 剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel Tape/reel 工作温度 -55℃~+150℃(TJ) -55℃~+150℃ -55℃~+150℃ -...
SI2342DS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥1.21193 查看详情 查看数据资料 SI2312CDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥0.54000 查看详情 查看数据资料 SI2312BDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥1.12001 查看详情 查看数据资料 ECCN编码 封装/外壳 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 安装类型 SMT ...
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