型号:SI2312CDS-T1-GE3 品牌:Vishay(威世) MOSFETs Vishay SI2312CDS-T1-GE3---0(1起订) ¥1.81120 ▼ 当前型号加入购物车 型号:AO3414 品牌:AOS PIN to PIN MOSFETs 数据手册296(50起订) ¥0.39250 ▼ SI2312CDS-T1-GE3(Vishay)和AO3414(AOS)的区别 ...
SI2312BDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥1.12001 查看详情 查看数据资料 SI2302CDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥0.29900 查看详情 ECCN编码 FET功能 - - - - 包装 Tape/reel 剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel Tape/reel 工作温度 -55℃~+150℃(TJ) -55℃~+150℃ -55℃~+150℃ -...
型号:SI2312CDS-T1-GE3-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi 参数: - 封装:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:20V- 最大电流:6A- 开态电阻:RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V- 阈值电压:Vth=0.45~1V 应用简介: SI2312CDS-T1-GE3-VB是一款N—Channel沟道的场效应管,封装为SOT23。其主要应用领域包括但不...
制造商型号:SI2312CDS-T1-GE3 制造商:Vishay(威世) 商品编号:DS0078823 供应商编号:SI2312CDS-T1-GE3 封装/规格: 商品描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 阶梯价格 数量香港国内含税 1+ -- ￥3.88839 10+ -- ￥3.32365 100+ -- ￥2.30978 500+ -- ￥1.80246 1000+ -- ￥1.46553 规格参数...
HXY MOSFET(华轩阳电子) 商品型号 Si2312CDS-T1-GE3-HXY 商品编号 C22367213 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.028克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 属性参数值 ...
SI2312CDS-T1-GE3-VB 商品编号 C558251 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.054克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6A 导通电阻(RDS(on))-
SI2312BDS-T1-GE3 制造商:Vishay 最优价格:￥1.12001 查看详情 查看数据资料 ECCN编码 封装/外壳 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 安装类型 SMT SMT SMT SMT 连续漏极电流 2.2A 6A 6A 5A 漏源电压(Vdss) 20V 8V 20V 20V 晶体管类型 N沟道 N沟道 N沟道 N沟道 阈值电压 700mV@250µA 800mV@250...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 场效应管、 MOS管、 电子元器件、 SI2312CDS、 T1、 GE3、 半导体 商品图片 商品参数 品牌: 微碧 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6A 功率(Pd): 2.1W 导通电阻: 31.8mΩ@4.5V,5A 阈值电...
SI2312CDS-T1-GE3由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2312CDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.1725 。 JSMSEMI/杰盛微 SI2312CDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23-3, N沟道,20V,6A,28mΩ@4.5V。你可以下载 SI2312CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书...
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