SI2337DS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/4V@250µA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/2.5W:额定功率/760mW,2.5W:栅极源极击穿电压/±20V:无卤/Yes:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.12mm:长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm:认证信息/RoHS:原产国家/America:...
型号 SI2337DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI2337DS-T1-GE3 封装: SOT-23-3 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2337DS-T1-GE3 商品编号 C83155 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 80V 连续漏极电流(Id) 2.2A 导通电阻(RDS(on)) 270mΩ@10V,1.2...
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SI2337DS-T1-GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商: Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code: Product Specification Section Vishay SI2337DS-T1-GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。 ECCN: EAR99 产品变更通知: 查看产品变更通...
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