型号 SI2337DS-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2337DS-T1-GE3-VISHAY/威世-SOT-23-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在...
型号 SI2337DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI2337DS-T1-GE3 封装: SOT-23-3 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电...
型号 SI2337DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2337DS-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 9V 长度: 5.7mm 宽度: 4.2mm 高度: 2.1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成...
零件号别名 SI2337DS-GE3 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 SI2337DS-T1-GE3 产品详情 3000/Reel PDF资料 电子管-场效应管-SI2337DS-T1-GE3-VISHAY-SOT-23-19/20+.pdf 联系我们 联系人赵武雄 联系电话# 电子邮箱shouhe.salsJ@szshouhe.com 联系地址广东省深圳市福田区佳和华强大厦-A座1709...
SI2337DS-T1-GE3由Vishay设计生产。SI2337DS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/4V@250µA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/2.5W:栅极源极击穿电压/±20V:无卤/Yes:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.12mm:长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm:认证信息/RoHS:原产国...
SI2337DS-T1-GE3参数 漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.2A 栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻270mΩ @ 1.2A,10V 类型P沟道最大功率耗散(Ta=25°C)760mW FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)80V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.2A(Tc) ...
零件号别名 SI2337DS-GE3 单位重量 8mg 可售卖地 全国 型号 SI2337DS-T1-GE3 购物须知 1、本产品是现货全新原装,质量100%保证,因行业特殊性,价格浮动较大,价格需沟通后下单。7天无条件退货,30天内上机问题包退换。 2、本司已通过工商局注册认可为正规一般纳税人企业,客户购满2000元以上可以开增值发票。
品牌:Vishay(威世) 型号:SI2337DS-T1-GE3 商品编号:DS0083748 封装规格:SOT-23-3(TO-236) 商品描述: 场效应管(MOSFET) 760mW;2.5W 80V 2.2A 1个P沟道 SOT-23 商品详情 商品介绍 场效应管(MOSFET) 760mW;2.5W 80V 2.2A 1个P沟道 SOT-23 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规...
零件号别名 SI2337DS-GE3 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 SI2337DS-T1-GE3 产品详情 PDF资料 联系我们 联系人徐小姐 联系电话13691860402 电子邮箱pens@vip.163.com 联系地址深圳市福田区华强北街道华强北上步工业区101栋5楼509室 为您推荐 查看详情 ¥1.00元 ≥1个 VISHAY/威世 场效应管 SIR468DP-...
深圳市淘芯电子有限公司为您提供国产SI2337DS-T1-GE3,品牌:VISHAY/威世、类型:200010411002、型号:SI2337DS-T1-GE3、封装:、参数规格:,还有SI2337DS-T1-GE3PDF数据手册等;更多关于国产SI2337DS-T1-GE3的详情,请咨询本公司。