SI2343CDS SOT-23 MOS管 30V 5.9A 全新现货SI2343CDS-T1-GE3 深圳市晶芯微半导体有限公司16年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 MOS场效应管SI2343CDS-T1-GE3封装SOT-23 VISHAY/威世 拍前询价 深圳市鲸腾科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2343CDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2343CDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2343CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® Fabricante Vishay Siliconix Número de pieza del fabricante SI2343CDS-T1-GE3 Descripción MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3 Plazo estándar del fabricante...
SI2343CDS-T1-GE3参数展现了其在电子领域中的强大实力。作为一款P沟道场效应管，其技术规格包括：-30V的漏极电压，-5.6A的连续漏极电流，RDS(ON)分别为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V。具备20Vgs的可控制电压范围和-1V的阈值电压。SOT23封装进一步增加了其灵活性，使得SI2343CDS-T1-GE3成为众多电子设计的理想选择。
型号: SI2343CDS-T1-GE3-VB 商品编号: G12309809 封装规格: SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)...
品牌名称 KUU 商品型号 KSI2343CDS-T1-GE3 商品编号 C2892534 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.031克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)4.1A
在淘宝,您不仅能发现SI2343CDS-T1-GE3【MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3】的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于SI2343CDS-T1-GE3【MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3】的信息,请来淘宝深入了解吧!
Si2343CDS-T1-GE3由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 Si2343CDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.2645 。 JSMSEMI/杰盛微 Si2343CDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23-3, P沟道,-30V,-5.6A,46mΩ@-10V。你可以下载 Si2343CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...
在淘宝,您不仅能发现SI2343CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于SI2343CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3的信息,请来淘宝深入了解吧!
SI2343CDS-T1-GE3 495Kb / 9P P-Channel 30 V (D-S) MOSFET More results 类似说明 - SI2343CDS-T1-GE3 制造商 部件名 数据表 功能描述 Vishay Siliconix SI2303BDS 40Kb / 5P P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET Rev. A, 04-Nov-02 SI4483EDY 59Kb / 5P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Re...
SI2343CDS-T1-GE3 暂无SI2343CDS-T1-GE3 的描述信息! SI2343CDS-T1-GE3国产替代产品SI2343CDS-T1-GE3采购批发价格 SI2343CDS-T1-GE3 PDF文档 型号厂商大小 SI2343CDS-T1-GE3VISHAY/威世0.10M 相关资料 SI2343CDS-T1-GE3详情介绍 SI2343CDS-T1-GE3相关资讯...