型号: SI2333DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 7.5V 长度: 1.8mm 宽度: 3.7mm 高度: 2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
SI2333DS-T1-GE3参数详细解读如下：类型为P沟道漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)可达5A，功率(Pd)为2.5W，导通电阻(RDS(on))在10V电压下为35mΩ，5.1A电流条件下。这些技术参数的优异表现，使得其在各种电路设计中具备了出色的性能和稳定性，为工程师提供了强大的设计支持和选择保障。三、工作原理及...
型号: SI2333DS-T1-GE3(一级代理 原厂技术对接 全线稳定供应 终端工厂免费送样 ) 封装: NA 批号: 1年内 数量: 18000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 8V 长度: 6.9mm 宽度: 7.1mm 高度: 1.9mm 价格说明 价格:商品在爱...
型号: Si2333DS-T1-GE3 封装: SOT23 批号: 23+ 数量: 30000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 12 V Id-连续漏极电流: 4.1 A Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms Vgs - 栅极-源...
因其优异的性能和稳定性,SI2333DS-T1-GE3场效应管为电子元件领域提供了重要的支撑确保。 二、技术规格参数 SI2333DS-T1-GE3参数详细解读如下:类型为P沟道漏源电压(Vdss)为20V,连续漏极电流(Id)可达5A,功率(Pd)为2.5W,导通电阻(RDS(on))在10V电压下为35mΩ,5.1A电流条件下。这些技术参数的优异表现,使得其在...
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 漏源电压(Vdss) 12 V 可售卖地 全国 型号 SI2333DS-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2333DS-T1-GE3-VISHAY-SOT23-19+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而...
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57mΩ(在4.5V下)和83mΩ(在2.5V下),以及12Vgs(±V)的较高电压限制和-0.81Vth的阈值电压。 [图片] SI2333DS-
型号: SI2333DS-T1-GE3-VB 丝印: VB2290 品牌: VBsemi 参数:- 封装类型: SOT23- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -20V- 最大电流: -4A- 开态电阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 阈值电压: Vth = -0.81V 封装: SOT23 **详细参数说明:**1. **封装类型 (Package Type):** SOT23...
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