型号 SI2329DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2329DS-T1-GE3 批号: 19+ 数量: 20001 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 8 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源...
型号 SI2329DS-T1-GE3 封装/规格 SOT23-3 封装 SOT23-3 批号 21+ 数量 30250 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/箱体 SOT-23-3 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 8V Id-连续漏极电流 6A RdsOn-漏源导通电阻 30...
SI2329DS-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装* 批次19+ 价格 ￥2.00 ￥1.86 ￥1.60 起订量 1个起批 100个起批 500个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 SI2329DS-T1-GE3;VISHAY;* 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市英特...
品牌:VBsemi(微碧) 型号:SI2329DS-T1-GE3-VB 商品编号:DS39716485 封装规格:SOT23-3 商品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3 商品详情 商品介绍 P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);...
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商品型号:SI2329DS-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 数据手册: DATASHEET 商品编号:L201712256518 商品参数 商品分类 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装 SOT-23 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 8V 25℃时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn...
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