型号 SI2329DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2329DS-T1-GE3 批号: 19+ 数量: 20001 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 8 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源...
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JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 Si2329DS-T1-GE3-JSM 商品编号 C18192433 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.057克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)4.2A ...
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 SI2329DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2329DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批次: 新到货 数量: 501932 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Vishay Siliconix ...
型号:SI2329DS-T1-GE3-VB 商品编号:G12282197 封装规格:SOT23-3 商品描述:P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3 商品详情 商品介绍 P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT2...
商品型号:SI2329DS-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT23 数据手册: 商品编号:L103210933 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT23 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 8V 25℃时电流-连续漏极(Id) 6A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)...
SI2329DS-T1-GE3 价格参考3.92。AMI SI2329DS-T1-GE3 封装/规格:位置传感器,SENSOR ANGLE 360DEG SMD。 你可以下载SI2329DS-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号: SI2329DS-T1-GE3 批号: 19+ 封装: SOT-23(SOT-23-3) 数量: 2141 QQ: 24682467 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 8 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏...
SI2329DS-T1-GE3 -(Vishay Siliconix)- 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商型号:SI2329DS-T1-GE3 制造商: Vishay Siliconix 产品类别:Active 商品描述:MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 详细说明:- 定价(未税) 数量单价总价 13.923.92 库存数量:11792 可立即发货发货时间:国内(1~2天)最小起订:1 ...
SI2329DS-T1-GE3 价格参考3.92。AMI SI2329DS-T1-GE3 封装/规格:位置传感器,SENSOR ANGLE 360DEG SMD。 你可以下载SI2329DS-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。