SI2312BDS-T1-GE3 VISHAY威世 N沟道MOS管 MOSFET场效应管 价格 ￥1.00 ￥0.85 ￥0.70 起订量 10个起批 500个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 SI2312BDS-T1-GE3;VISHAY威世;SOT23 获取底价...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI2312BDS-T1-GE3-VB 商品编号 C5441239 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.28克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6A ...
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品牌名称VISHAY(威世) 商品型号SI2312BDS-T1-GE3 商品编号C10490 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 5A 导通电阻(RDS(on)) 31mΩ@4.5V,5A 耗散功率...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2312BDS-T1-GE3 元器件,主要参数为:SOT-23-3 ,SI2312BDS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
类似说明 - SI2312BDS-T1-GE3 制造商部件名数据表功能描述 Vishay SiliconixSI1906DL 43Kb/4PN-Channel 20-V (D-S) MOSFET Rev. A, 28-Aug-00 SI7348DP 50Kb/5PN-Channel 20-V (D-S) MOSFET Rev. A, 31-Mar-03 SI1410EDH 49Kb/5PN-Channel 20-V (D-S) MOSFET ...
SI2312BDS-T1-GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 SI2312BDS-T1-GE3 价格参考￥ 2.1897 。 Vishay SI2312BDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23, MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3。你可以下载 SI2312BDS-T1-GE3 中文资料...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2312BDS-T1-GE3、 Vishay、 SOT23-3 商品图片 商品参数 品牌: Vishay 封装: SOT23-3 批号: 19+ 数量: 989898 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量...
SI2312BDS-T1-GE3-VB 是一款N沟道低电压低导通电阻MOSFET,适用于需要高性能功率开关的低电压电子应用。以下是一些可能的应用领域模块: 1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于低电压电源开关模块,以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备和低电压电源系统。
型号:SI2312BDS-T1-GE3 品牌:Vishay(威世) MOSFETs Vishay SI2312BDS-T1-GE3 --- 0(10起订) --- 当前型号 询价 型号: AO3414 品牌:AOS PIN to PIN MOSFETs 数据手册 496(50起订) ¥0.39250 ▼ SI2312BDS-T1-GE3(Vishay)和AO3414(AOS)的区别 加入购物车 型号: AO3420 品牌:AOS PIN to...