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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 SI2392DS-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2392DS-T1-GE3-VISHAY/威世-SOT-23-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
型号 SI2392DS-T1-GE3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 4.3A 导通电阻 120mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2~2.8V 工作温度 标准 封装/规格 SOT-23(SOT-23-3) 包装 编带 最小包装量 3000 产品特性 大功率 封装 SOT23 包装方式 编带 可售卖地 ...
型号 SI2392DS-T1-GE3 产品详情 技术参数 品牌: VISHAY/威世通 型号: SI2392DS-T1-GE3 批号: 2019+ 封装: SOT-23 数量: 6500 QQ: 403751555 产品识别码: e6b17ea4-d91e-11e9-9190-00163e1552d4-21 型号识别码: e6b1b5fe-d91e-11e9-9190-00163e1552d4-ba 定货号: 05600 产品类型: 优势 上架...
SI2392DS-T1-GE3 价格 ￥1.50 起订量 3000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 SI2392DS;T1;GE3;VISHAY;SOT23 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市钒科电子有限公司 4年 真实性核验 主营商品:肖特基二极管;集成电路;场...
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型号 SI2392DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2392DS-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 9V 长度: 4mm 宽度: 4.8mm 高度: 1.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交...
型号 SI2392DS-T1-GE3-VB 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 4.3A 功率(Pd) 标准 导通电阻 120mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2~2.8V 栅极电荷(Qg@Vgs) 标准 输入电容(Ciss@Vds) 标准 反向传输电容(Crss@Vds) 标准 工作温度 标准 封装/规格 SOT-23(SOT...
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