SI2323DDS-T1-GE3 Vishay 数据手册 功率MOSFET ±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V ￥1.6219 0 当前型号 PMV33UPE,215 Nexperia 数据手册 小信号MOSFET PMV33UPE_SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3A ...
充分了解SI23DS-T1-GE3的技术规格参数是充分了解其性能的关键。本部分将详细解释P沟漏源电压、持续漏极电流、功率和导电电阻等关键参数。SI2323DS-T1-GE3具备30V漏源电压、5.6A持续漏极电流、2.5W功率以及55mΩ@10V、4.4A的导通电阻，彰显了它在各方面的出色表现。对这一性能参数深入分析也有利于技术人员更好...
型号:Si2323DDS-T1-GE3品牌:VISHAY(威世)名称:1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A 本页面提供VISHAY(威世)的Si2323DDS-T1-GE3产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。Si2323DDS-T1-GE3参考售价为2元起,现货库存数量1671个 温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 ...
商品型号 Si2323DDS-T1-GE3 商品编号 C165449 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)4.1A 导通电阻(RDS(on))39mΩ@4.5V,4.1A ...
SI2323DDS-T1-GE3参数 漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.3A(Tc) 栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻39mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W(Tc)类型P沟道 FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最...
型号SI2323DDST1GE3 丝印 VB2355 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 阈值电压 1V 封装类型 SOT23详细参数说明 SI2323DDST1GE3是一款P沟道MOS管,适用于最大30V的工作电压,最大5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47...
SI2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOS管,适用于最大-30V的工作电压,最大-5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47mΩ,4.5V下为56mΩ。阈值电压为-1V,需要在控制电压小于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23。 应用简介: SI2323DDS-T1-GE3适用于需要低电压和中等电流的应用领域,如电源开关、电池保护、...
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