充分了解SI23DS-T1-GE3的技术规格参数是充分了解其性能的关键。本部分将详细解释P沟漏源电压、持续漏极电流、功率和导电电阻等关键参数。SI2323DS-T1-GE3具备30V漏源电压、5.6A持续漏极电流、2.5W功率以及55mΩ@10V、4.4A的导通电阻，彰显了它在各方面的出色表现。对这一性能参数深入分析也有利于技术人员更好...
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SI2323DDS-T1-GE3 Vishay 数据手册 功率MOSFET ±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V ￥1.5622 6,000 当前型号 PMV33UPE,215 Nexperia 数据手册 小信号MOSFET PMV33UPE_SOT23 P-Channel 0.49W -55°C~150°C ±8V -20V -5.3...
功率MOSFET ±8V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel -5.3A 39mΩ@4.1A,4.5V -20V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2323DDS-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 ...
SI2323DDS-T1-GE3参数 漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.3A(Tc) 栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻39mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W(Tc)类型P沟道 FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.3A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最...
描述 Si2323DDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET,采用业界标准SOT-23封装,专为紧凑型电子设计提供卓越性能。该器件特性鲜明具有20V的最大工作电压VDSS,能稳定处理5A的漏极电流;并且,其30mΩ的低导通电阻RD(on)设计大大减少了功率损失,提高了系统整体能效。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护等电路设计中,是您...
SI2323DDS-T1-GE3是一款P沟道MOS管,适用于最大-30V的工作电压,最大-5.6A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为47mΩ,4.5V下为56mΩ。阈值电压为-1V,需要在控制电压小于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为SOT23。 应用简介: SI2323DDS-T1-GE3适用于需要低电压和中等电流的应用领域,如电源开关、电池保护、...
SI2323DDS-T1-GE3 的替代之选 找到2 件产品 法律与环境 原产地:China进行最后一道重要生产流程所在的地区 税则号:85412900 US ECCN: EAR99 EU ECCN: NLR RoHS 合规: 是 RoHS 邻苯二甲酸盐合规: 是 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) 下载产品合规证书 产品合规证书 重量(千克):.000635 同类产品...
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商VISHAY 制造商产品编号SI2323DDS-T1-GE3 库存编号2646365 产品范围TrenchFET 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian 查看所有技术文档 ...
型号: SI2323DDS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 20+ 数量: 150000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1....