SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6.5A;导通电阻:30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:1.2~2.2V;封装:SOT23应用简介:SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 是一款N沟道MOSFET,适用于中功率应用的开关控制。具有适中的电流和导通电阻,使其在多种...
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SI2318CDS-T1-GE3场效应管的工作原理是基于其N沟构造，根据调节门极电压来调整漏极和源极中间的电流流通。这种结构促进她在开关运用中发挥出色，同时保持节能型和高效率。独特是指，这类MOS管可以在较低的门极驱动电压下完成快速开关，这在电池供电和便携式设备中非常重要。实际应用中，SI2318CDS-T1-GE3广泛用于...
SI2318CDS-T1-GE3场效应管的工作原理是基于其N沟构造,根据调节门极电压来调整漏极和源极中间的电流流通。这种结构促进她在开关运用中发挥出色,同时保持节能型和高效率。独特是指,这类MOS管可以在较低的门极驱动电压下完成快速开关,这在电池供电和便携式设备中非常重要。实际应用中,SI2318CDS-T1-GE3广泛用于电源...
SI2318CDS-T1-GE3由Vishay设计生产。SI2318CDS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/2.5V@250µA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/2.1W:额定功率/1.25W,2.1W:充电电量/2.9nC:反向传输电容Crss/30pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/40V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/...
制造商产品型号:SI2318CDS-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极(Id):5.6A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsO...
SI2318CDS-T1-GE3产品信息 晶体管极性N沟道 电流, Id 连续3.9A 漏源电压, Vds40V 在电阻RDS(上)0.036ohm 电压@ Rds测量10V 阈值电压 Vgs3V 功耗Pd750mW 晶体管封装类型TO-236 针脚数3引脚 工作温度最高值150°C 产品范围- 汽车质量标准- MSLMSL 1 -无限制 ...
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