SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6.5A;导通电阻:30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:1.2~2.2V;封装:SOT23应用简介:SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 是一款N沟道MOSFET,适用于中功率应用的开关控制。具有适中的电流和导通电阻,使其在多种...
SI2318CDS-T1-GE3场效应管的工作原理是基于其N沟构造，根据调节门极电压来调整漏极和源极中间的电流流通。这种结构促进她在开关运用中发挥出色，同时保持节能型和高效率。独特是指，这类MOS管可以在较低的门极驱动电压下完成快速开关，这在电池供电和便携式设备中非常重要。实际应用中，SI2318CDS-T1-GE3广泛用于...
SI2318CDS-T1-GE3场效应管的工作原理是基于其N沟构造,根据调节门极电压来调整漏极和源极中间的电流流通。这种结构促进她在开关运用中发挥出色,同时保持节能型和高效率。独特是指,这类MOS管可以在较低的门极驱动电压下完成快速开关,这在电池供电和便携式设备中非常重要。实际应用中,SI2318CDS-T1-GE3广泛用于电源...
SI2318CDS-T1-GE3-VISHAY-晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V. 现在就预定 SI2318CDS-T1-GE3! 质优价廉, 发货迅速的 VISHAY 现货产品。
SI2318CDS-T1-GE3由Vishay设计生产。SI2318CDS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/2.5V@250µA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/2.1W:额定功率/1.25W,2.1W:充电电量/2.9nC:反向传输电容Crss/30pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/40V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/...
制造商编号 SI2318CDS-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A-SI2318CDS-T1-GE3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 N-CHANNEL 40 V 0.042 Ohm 2.1 W Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI2318CDS-T1-GE3.pdf 参数信息...
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制造商产品型号:SI2318CDS-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极(Id):5.6A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsO...
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