SI2319DS-T1-GE3技术规格出色,拥有多种诱惑力的特性。P沟漏源电压为30V,持续漏极电流做到5.6A,功率维持在2.5W。更值得一提的是,该装置在10V里的导通电阻仅是55mΩ,这意味着在高效率的同时,能保持较低的热损耗。这些参数共同保证了SI2319DS-T1-GE3在高要求运用中的稳定性和效率。 三、工作原理及应用 依据...
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品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI2319DS-T1-GE3-VB 商品编号 C558255 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.054克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)5.4A ...
SI2319DS-T1-GE3采用SOT23封装,适用于各种电路板和模块中使用。 该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其负的额定电压和额定电流特性,SI2319DS-T1-GE3特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中,它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。 总之,SI2319DS-T1-GE3是...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2319DS-T1-GE3 元器件,主要参数为:2.3A(Ta) P-Channel 82 mOhms @ 3A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 40V,SI2319DS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
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型号: SI2319DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 21+ 数量: 30000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 2.3 A Rds On-漏源导通电阻: 82 mOhms ...
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制造商产品型号:SI2319DS-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极(Id):2.3A(Ta) 驱动电压(最...