SI2319DS-T1-GE3技术规格出色,拥有多种诱惑力的特性。P沟漏源电压为30V,持续漏极电流做到5.6A,功率维持在2.5W。更值得一提的是,该装置在10V里的导通电阻仅是55mΩ,这意味着在高效率的同时,能保持较低的热损耗。这些参数共同保证了SI2319DS-T1-GE3在高要求运用中的稳定性和效率。 三、工作原理及应用 依据...
型号 SI2319DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2319DS-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 5.8mm 宽度: 7.7mm 高度: 1.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
型号: SI2319DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 2.3 A Rds On-漏源导通电阻: 82 mOhms Vgs - 栅极...
SI2319DS-T1-GE3技术规格出色,拥有多种诱惑力的特性。P沟漏源电压为30V,持续漏极电流做到5.6A,功率维持在2.5W。更值得一提的是,该装置在10V里的导通电阻仅是55mΩ,这意味着在高效率的同时,能保持较低的热损耗。这些参数共同保证了SI2319DS-T1-GE3在高要求运用中的稳定性和效率。 三、工作原理及应用 依据...
SI2319DST1GE3详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 SI2319DST1GE3是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的...
SI2319DS-T1-GE3场效应管是一种在电子元件行业占有重要地位高性能设备。因其出色的技术参数和靠谱的稳定,这类P通道MOS管在市场中非常突出。它不仅提供了高效的功率转换率,并且因其紧凑的包装优化的设计,广泛应用于各种出色的电子设备中,以适应当今电子产业对高性能设备的迫切需求。
SI2319DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗,并提高系统的效率。
型号 SI2319DS-T1-GE3-VB 类型 P沟道 漏源电压(Vdss) -30V 连续漏极电流(Id) -5.6A 功率(Pd) 标准 导通电阻 47mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) -1V 栅极电荷(Qg@Vgs) 标准 输入电容(Ciss@Vds) 标准 反向传输电容(Crss@Vds) 标准 工作温度 标准 封装/规格 SOT-23(SOT-23...
si2319ds-t1-ge3产品参数 品牌 VISHAY 封装 SOT23 批次 2022+ RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 125C 最小电源电压 1.5V 最大电源电压 8.5V 长度 8.3mm 宽度 3.3mm 高度 1.8mm 了解si2319ds-t1-ge3详情 深圳市钒科电子有限公司 店铺信息 成立...
制造商产品型号:SI2319DS-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极(Id):2.3A(Ta) 驱动电压(最...