型号: SI2337DS-T1-GE3 封装: SOT-23-3 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 2.2 A Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms Vgs ...
SI2337DS-T1-GE3由Vishay设计生产。SI2337DS-T1-GE3封装/规格:配置/单路:阈值电压/4V@250µA:晶体管类型/P沟道:功率耗散/2.5W:额定功率/760mW,2.5W:栅极源极击穿电压/±20V:无卤/Yes:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.12mm:长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm...
SI2337DS-T1-GE3-CN 价格参考￥ 0.16417 。 ChipNobo SI2337DS-T1-GE3-CN 封装/规格: SOT-23-3 (TO-236), P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。你可以下载 SI2337DS-T1-GE3-CN 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 ...
SI2337DS-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SI2337DS-T1-GE3价格参考￥1.96。VISHAY(威世) SI2337DS-T1-GE3参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):2.2A;导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,1.2A;耗散功率(Pd):760mW;2.5W;阈值
SI2337DS-T1-GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商: Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code: 2435 Product Specification Section Vishay SI2337DS-T1-GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。 ECCN: EAR99 产品变更通知: 查看产品...
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商品型号:SI2337DS-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 数据手册: 商品编号:L103203628 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-23 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 80V 25℃时电流-连续漏极(Id) 2.2A(Tc) 驱动电压(最大...