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典型接通延迟时间 SI2399DS-T1-BE3 零件号别名 8 mg 可售卖地 全国 型号 SI2399DS-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2399DS-T1-GE3-VISHAY/威世-SOT-23-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不...
产品标签 SI2399DS-T1-GE3;Vishay;SOT23-3 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市海科尔电子有限公司 5年 真实性核验 主营商品:tpc8067-h;2n7002-tp;asg7s1610;ase8h3010;axf6d3412;axf6d2412;ast3s1010;ase4h3010;axt580224;ase4h2010;axe880124;ast504010;axt610224;axe812124;asg8h6010;ase5s3410;...
型号 SI2399DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2399DS-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 6V 长度: 5.4mm 宽度: 3.2mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成...
Si2399DS-T1-GE3 参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23应用简介: Si2399DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。由于其低导通电阻(RDS(ON)),能有效降低导通损耗,在需要高效能转换的电路中表现出色。常用于电源管理、DC...
型号: Si2399DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 24+ 数量: 255000 RoHS: YES 产品种类: 电子元器件 最小温度: -40C 最大温度: 120C 技术: Si 制造商: VISHAY/威世 安装风格: SMD/SMT 长度: 7.2mm 宽度: 5.1mm 高度: 2mm 单位重量: 29mg 可售卖地: 全国 PDF资料 .pdf 下载 价格说明 价格:商品...
型号: Si2399DS-T1-GE3 批号: 19+ROHS 封装: SOT-23 数量: 300000 QQ: 331287298 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源导通...
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SI2399DS-T1-GE3 Type MOSFET Brand Name Original brand Package Type Surface Mount Other attributes Mounting Type SMT/SMD Description MOSFET Place of Origin Original Package / Case standard Operating Temperature Standard Series all type of transistor D/C NEW Application MOSFET driver Supplier Type Origi...
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