SI2300DS-T1-GE3SOT-23 1个N沟道 30V 3.6A 原装MOS管晶体三极管 深圳市广汇纳电子科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.08 原装正品现货SI2300DS-T1-GE3SOT-23 30V/3.6A N-MOS 询价为准 深圳市正伟亿科技有限公司11年
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制造商编号 SI2300DS-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A-SI2300DS-T1-GE3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 30 V 68 mO 3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI2300DS-T1-GE3.pdf 参数信息 ...
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品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI2300DS-T1-GE3-VB 商品编号 C558241 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.054克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)6A ...
制造商型号:SI2300DS-T1-GE3 制造商:Vishay(威世) 商品编号:DS0074346 供应商编号:SI2300DS-T1-GE3 封装/规格:SOT-23-3(TO-236) 商品描述:场效应管(MOSFET) 1.1W;1.7W 30V 3.6A 1个N沟道 SOT-23 阶梯价格 数量香港国内含税 1+ -- ￥1.63900 100+ -- ￥1.26500 750+ -- ￥1.05490 1500+...
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应用简介:SI2300DS-T1-GE3是一款适用于中电流、低电压的N沟道MOSFET。 其低阈值电压使其适合低电压逻辑驱动。 常用于移动设备、低电压应用等。 优势:适用于低电压逻辑驱动:低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。 适用于移动设备:适用于移动设备、低电压应用等领域。
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