SI2308BDS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI2308BDS-T1-GE3 批号: 2021+ 封装: SOT23 数量: 658900 QQ: 3257140292 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V...
SI2308BDS-T1-GE3是N沟道TrenchFET®功率MOSFET,工作温度为175°C。 100%Rg测试 100%用户界面测试 ±20V栅源电压 应用 工业 SI2308BDS-T1-GE3中文参数 晶体管极性:N沟道 漏源电压,Vds:60V 电流,Id连续:2.3A 在电阻RDS(上):0.13欧姆 晶体管封装类型:TO-236 晶体管安装:表面安装 电压Rds测量:10V 阈值电...
SI2308BDS-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 (9家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元KRW-₩ 韩元RUB-₽ 卢布TWD-$ 新台币 需求数量:
3 美国 42000 立即发货 3000 - - - - - 购买 SI2308BDS-T1-GE3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 0.13 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 1.09 W 阈值电压 3 V 输入电容 190pF @30V 漏源极电压(Vds) 60 V ...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的SI2308BDS-T1-GE3 元器件,主要参数为:N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.09W(Ta),1.66W(Tc) 156m Ohms@1.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 1.9A 156mΩ,SI2308BDS-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
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原装正品SI2308BDS-T1-GE3SOT-23 N沟道 贴片MOSFET场效应管 深圳市永瑞微科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.50 SI2308BDS-T1-GE3封装SOT-23 N沟道60V/2.3A SI2308BDS-T1-E3 深圳市吴优电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
140 0 00:52 App AO6801-VB一款SOT23-6封装 MOSFET参数应用解析 56 0 00:56 App SI2323CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析 125 0 00:56 App DMG1012T-VB一款SC75-3封装 MOSFET参数应用解析 153 0 00:54 App AFN4634WSS8RG-VB一款SOP8封装MOSFET参数应用解析 ...
型号: SI2308BDS-T1-GE3 封装: SOT23 批号: 19+ 数量: 300000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 2.3 A Rds On-漏源导通电阻: 156 mOhms Vgs - 栅...
SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。 [图片] SI2308BDS-T1-GE3适用于多个应用领域。在电源管理、功率